MR传感器13级待用选编.ppt

磁电阻式传感器 （MR传感器）; 铁磁物质中存在着两类电阻 “反常现象”，第一类“反常现象”中，电阻率随着磁化强度而变化，不依赖于磁场的方向，且对温度极为敏感，在居里点附近电阻率发生急剧变化。有人认为其电阻率的变化率正比于总磁化强度的平方I2和某一起始值之差，这个起始值与自发磁化强度的平方 成正比，所以; 第二类“反常现象”叫做磁电阻各向异性效应，是thomson在1857年发现的。这个效应依赖于铁磁体中电流密度J与磁化强度I的相对取向。这两种现象的本质差别在于，前者基本上只取决于原子中不成对3d电子之间的交换作用力。 而后者是铁磁体技术磁化的结果，它与自发磁化强度在晶体内的取向和铁磁体内不同磁相的体积浓度分配有关，也就是依赖于总的技术磁化强度，在理论上可用电子的自旋磁矩与轨道磁矩相互耦合和电子d能带的分裂来解释。本节讨论的就是这种效应。; 我们首先考查Ni0.9942C0.0058合金。下图表明了磁化强度M平行或垂直于电流I的纵向磁电阻率ρ11和横向磁电阻率ρ⊥。样品磁化饱和以后，如果磁场增加至数千Oe，ρ//和ρ⊥等量地均匀减小，ρ//（H）和ρ⊥（H）所呈现的变化规律几乎完全一样。;NiFe合金和NiCo合金的各向异性磁电阻效应直接与技术磁化有关，从磁化机制而言，属于磁畴磁化矢量的转动过程。 为了研究Δρ/ρ0与其它技术磁参数的相关性，我们继续考查 NiFe和NiCo合金的Δρ/ρ0随合金成份的变化规律。下图表示了获得最大Δρ/ρ0的合金成份。对于NiFe合金，当x=0.9时，所得到的Δρ/ρ0为5% ，而NixCo(1-x)合金。当x=0.8时，Δρ/ρ0的最大值为6%。; 关于磁电阻效应的机理，至今尚有许多不清楚的地方。磁阻传感器的原理仍是根据实验中所发现的一些规律来设计的。;二、磁性薄膜MR元件的特性; 有两种表示磁电阻效应的公式，两式具有相同的形式，只是一个用电阻值表示，而另一个则用电阻率表示。我们知道电阻率是材料的固有参数，而电阻值则是考虑了材料的几何形状的结果。在下面的分析中，我们均采用电阻值表示式来描述铁磁薄膜的磁电阻特性。;;;;;; 这种MR元件和霍尔效应元件相比具有如下独特优点: ;细 分;4、灵敏的方向性。下图所示是外场方向与MR元件平面所呈不同夹角时的输出特性。当外场垂直于薄膜平面时，其输出为零。因此，在使用这种传感器时，可以利用这一特性将磁敏电阻传感器的平面与外界干扰磁场相垂直，就能避免外界磁场的干扰。 ;5、宽的频带响应。MR元件的频响特性如图所示。 输出信号的大小在极宽的频带范围内与频率无关，理论上极限频率为发生铁磁共振的频率。以输出在10MHz以内保持不变的频率特性来说，几乎所有位置，转速检测都能使用这类传感器。;;; 三、传感器的设计 ; 全电阻2R0=1.4±0.1KΩ 输出信号Vpp=140mV 电源电压V=12V;(二)、基片材料的选择;（四）、电阻条宽的确定;可算得n及每条长度 ;四、MR元件的制备;光刻胶;;;;;;;基 片;;五、MR传感器的输出电路;;（一）. 恒压源供电时电桥的输出;;（二）. 恒流源供时电桥的输出;3、电桥输出电路 恒压源供电电路如图所示;电桥的两个支路的电阻相等;（三）外加偏置磁场;HX;（四）能辨判旋转方向的MR元件;整形 放大;●;;2003级马韬同学友情提供;;;RD;六、传感器的应用;1. 测转速; 磁旋转编码器;2. 测量角位移;;;;;6. 精密位移、角度传感器;;;;;;●;1.三端MR元件的电源电压为12伏，若需要输出振幅大于70mv的正弦信号，此时构成MR元件的材料的 至少应为多少？构成四端MR元件的材料的 =5%，当电源电压为6V时，四端MR元件输出电压振幅为多少？ 2.构成MR元件的磁性薄膜材料通常是什么材料？它们的各向异性磁电阻系数 最大值分别为多少？ 3.如图所示的MR元件是一种具有辨向功能的四端结构形式。问图中黑色部分通常采用什么材料？白色部分通常采用什么材料？为使其具有辨向功能，电源应加在哪二端？输出应在哪二端？ ;4.叙述利用MR元件测量压力的基本原理。用文字展开MR传感器PPt中60/70的内容。 ;