电子工程物理基础v1.1(4-2-1)2015综述.ppt

第4章 半导体中电子的状态;4.3 载流子的复合;热平衡状态下 (T恒定，且无其它外界能量);非平衡状态下:;光照刚停止，复合产生 n、p 复合 复合=热产生（恢复热平衡）;;在小注入时，τ与ΔP无关（？），则;;复合;direct/band-to-band recombination ;;教材p.162.第16题;indirect recombination;* 俘获电子 Electron capture;电子俘获率：;电子的净俘获率（导带减少的电子数）：; EF与Et重合时导带的平衡电子浓度。;同理，得;俘获电子-发射电子=俘获空穴-发射空穴;净复合率：;净复合率：;非平衡载流子的寿命为;小注入条件下;小注入情况下，τ的进一步分析与化简:;(1)强n型区;(2)弱n型区;(3)弱p型区;(4)强p型区;EF位置与浅能级杂质或温度有关;;若Et靠近EC：俘获电子的能力增强; 半导体表面状态对非平衡载流子也有很大影响，表面处的杂质和表面特有的缺陷也在禁带形成复合中心。;（2） 俄歇复合;（3） 陷阱效应;第4章 半导体中电子的状态;4.4 载流子的散射;* scattering by neutral impurity and defects 中性杂质和缺陷散射;纵波和横波;声学波声子散射几率：;电离杂质散射几率：;主要散射机制;第4章 半导体中电子的状态;半导体中的载流子在外场的作用下，作定向运动---漂移运动。;迁移率的大小反映了载流子迁移的难易程度。;总的散射几率：;迁移率;2. 迁移率 ~ 温度;半导体硅;-------殴姆定律的微分形式;电流密度另一表现形式;;电导率与迁移率的关系;2.各向异性、多能谷下的电导;3.电阻率与掺杂、温度的关系 (影响因素);（2）电阻率与温度的关系;例题;例. 室温下,本征锗的电阻率为47Ω·㎝，(1)试求本征载流子浓度。(2)若掺入锑杂质，使每106个锗中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。（3）计算该半导体材料的电阻率。设杂质全部电离。锗原子浓度为 4.4×1022/cm3, μn=3600/V·s, μp=1700/V·s,且不随掺杂而变化.;例3;Hight-Field Effects;解释思路：; 平均自由时间与载流子运动速度关系;(1)无电场时：;(2)弱电场时：;（3）强电场时：; 载流子从电场获得的能量与晶格散射时，以光学波声子的方式转移给了晶格。所以获得的大部分能量又消失,故平均漂移速度可以达到饱和。;（1）Intervalley Scattering ( 能谷???散射）;物理机制：;1 电场很低 EE1; 在某一个电场强度区域，电流密度随电场强度的增大而减小。;热载流子;阈电场（threshold field）;