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集成电路设计基础（工艺、版图、流程、器件） 什么叫Latchup，如何预防闩锁效应?（仕兰、科广试题） Q1为一纵向PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到集电极(collector)的增益可达数百倍；Q2是一横向的NPN BJT，基极为P substrate，到集电极的增益可达数十倍；Rwell是nwell的寄生电阻；Rsub是substrate电阻。 以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无外界干扰未引起触发时，两个BJT处于截止状态，集电极电流是C-B的反向漏电流构成，电流增益非常小，此时Latch up不会产生。当其中一个BJT的集电极电流受外部干扰突然增加到一定值时，会反馈至另一个BJT，从而使两个BJT因触发而导通，VDD至GND（VSS）间形成低抗通路，Latch up由此而产生。 产生Latch up 的具体原因： ? 芯片一开始工作时VDD变化导致nwell和P substrate间寄生电容中产生足够的电流，当VDD变化率大到一定地步，将会引起Latch up。 ? 当I/O的信号变化超出VDD-GND（VSS??的范围时，有大电流在芯片中产生，也会导致SCR的触发。 ? ESD静电加压，可能会从保护电路中引入少量带电载子到well或substrate中，也会引起SCR的触发。 ? 当很多的驱动器同时动作，负载过大使power和gnd突然变化，也