曝光机技术讲解.ppt

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曝光机技术讲解

Text C;曝光过程简介 曝光Recipe详细项目 曝光工艺要素;曝光过程简介;曝光过程简介;曝光过程简介;曝光过程简介;椭圆 Mirror :对Lamp的光进行集光;UV Lamp管理;用Border Shutter控制露光Area 用Border Shutter减小Gray Zone;Photo Initiator;曝光 Recipe 详细项目;曝光 Recipe 详细项目;;(6)光学 检出;1) 17” model的 曝光 Offset ;TP是表示Glass基板内Cell 的配置的特性值. -与 TFT基板 Assay时 Cell 位置要一致. - Cell 位置偏离时 有光 Leak 不良 Issue发生.;Total pitch是由 Photo Mask和基板膨胀差异产生的,在BM曝光机里要补正total pitch和歪曲,使之与品质规格一致。;时间;;;从Glass Edge到 BM 边缘的距离, 从Glass上面 可看到整个Shot 的模样. - 位置精度偏离可能引起与TFT 基板 Assay 时 Cell位置发生偏离的现象. - 各号机间发生200um 以上的差异时 在BGR, PS 曝光机中 Alignment Error 多发, 各号机间偏差较???时会发生BGR Miss Align.;; BM CD作用为区隔BGR之间的领域– 光不透过的领域 - BM 领域 ( CD )宽度 会影响到色度 (Chromaticity)因此 设计产品时应考虑到此问题. BM CD 领域的大小可能会引起BGR Overlay 及 光Leak不良的发生. ;一般比起Gap,更多的是调整曝光量,使BM, RGB 所有值均与设定值一致。考虑到Tact time在调整曝光量后,通过变更显影时间来调整线幅。;Resist;Resist;; ;通过stage offset调整, 修正Overlay;;1) 曝光机的光谱;3) 波长 vs. PS 高度;4) 显影后 PS 形象;;;;EXP Gap---size;;;波长(nm)

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