现代半导体器件第二十一讲详解.pdfVIP

现代半导体器件 刘飞 TelEmail：liufei@mail.sysu.edu.cn 中山大学理工学院 第五章 结型场效应晶体管 5.1 JFET 结构与工作原理 5.2 MESFET 5.3 JFET 直流特性 5.4 直流特性的非理想效应 ? 5.5 JFET 交流小信号特性 上一节 回忆 (1)试简述弱场下大注入所引起的有效基区扩展效应？ 其中弱场指的是什么？ (2)什么叫做发射极电流集边效应？试对这个效应物理 过程作简单解释？ (3)集电极最大ICM的定义是什么？实际应用怎样选取ICM？ (4)晶体管的安全工作区是如何规定的？二次击穿对其 有何影响？ 5.5 JFET交流小信号效应 一、JFET低频小信号参数 1. JFET低频小信号输入下的基本假设： (1)采取准静态近似:将交流下I－V关系用直流关系处理; (2)忽略电荷的储存效应:小信号下,端电压变化《kT/q。 2. 跨导gm： (1) gm的定义：VDS一定时，IDS随VGS的变化率； (2) 表达式： ?I DS ； g m = ?V GS V DS (3)物理意义:a.gm反映栅极电压对漏极电流的控制能力; b.gm称为JFET的增益。 5.5 JFET交流小信号效应 (4)gm的具体求解过程： G0 g m = ( GSDDS ???+ VVVVV GSD ) V p0 a. 线性区中：即VDS很小时，(VDS《VD－VGS) 0VG DS g m1 = ?VVV )(2 0 GSDp ? ? ?VV GSD b. 饱和区中: 即发生夹断之后 ms Gg 0 ?1?= ? ?? VP0 ?? 利用IDSS近似公式可求得gms的近似公式： ? 2I ? V ? DSS ? GS ? g ms ≈ ?1? ? VP ? VP ? 5.5 JFET交流小信号效应 2aWqN μnD 最大饱和跨导gmmax： Gg == m max 0 L (a)当VGS＝VD时，gms取最大值； (b)gm随VGS的增大而增大。 (5) 实际工作中的JFET：(即考虑电路中的串联电阻RS) a. RS的存在从VGS和VDS中分取电压，使降落于器件 内部电压下降； ’ b. JFET上的有效栅压降低 (VGS＝V GS＋IDSRS)； * c. RS的存在时使有效跨导g m 减小。 * g m g m = 1+ Rg Sm 5.5 JFET交流小信号效应 (6) gm的影响因素：(从表达式分析) a. 与沟道宽长比W/L呈正比； b. 与ND、μn和沟道厚度a成正比。 (7) 增大gm的有效途径：通常增大W/L值。 a. L不能过小，否则可能发生沟道调制效应； b. W增大通常通过并联多个单元器件来实现。 2. 漏极电导gd： (1) gd的定义：VGS一定时，IDS随VDS的变化率； (2) 表达式： ； ?I DS gd =