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Chap~期中复习

模拟电路基础 Chap.1~3;必须建立的工程概念;半导体二极管(Diode)、双极型晶体管(BJT)、 场效应管(MOSFET)等半导体器件及其应用→;半导体基础(半导体材料、pn结) 2. 半导体二极管 结构、基本特性、伏安特性、交流等效模型; 稳压管稳压原理及使用;不同种类二极管的工作原理 3. 晶体三极管 结构、工作原理、三个工作区域状态及特点、基本参数、特性曲线、温度特性 4. 场效应晶体管 结构、工作原理、三个工作区域状态及特点、基本参数、特性曲线、温度特性;与BJT状态及特点的异同;放大电路及其性能表征 交流性能指标 2. 放大电路的直流分析 目的(求Q点)、方法(图解/估算); 直流通路(偏置电路)、直流负载线 3. 放大电路的交流分析 基本放大电路的组成、分析方法(等效电路法);五种基本组态放大电路分析及其性能; 交流通路、交流负载线(图解法动态范围)、 (截止/饱和)失真分析;基本组成及各部分的作用 输入级—中间级—输出级—偏置电路; 2. 耦合技术 直接耦合、阻容耦合、变压器耦合、光电耦合; 直接耦合的两大特殊问题(级间电平配置, 零点漂移) 及其解决方案 3. 差分放大电路 构成原理、特点、基本分析方法、主要技术指标; 4. 互补输出级 工作原理、交越失真及其消除;Ex.1 已知 ?1~5 ,rbe1~5,写出Au、Ri和Ro的表达式。;Ex.2 电路如图(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时UBEQ=0.7V。利用图解法分别求出RL=?和RL=3k?时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom(有效值)。;解题过程→;Ex.3 ICQ=2mA,UCES=0.6V。试问:当负载电阻RL=∞和RL=3k?时电路的最大不失真输出电压各为多少伏? ;解题过程→;动态分析(画出交流通路);(3) 若电容Ce开路,则将引起电路的哪些动态参数 发生变化?如何变化? ;T;分析→;Ex.5 晶体管的? =60,rbb’=100? 。 (1) 求Q点、Au、Ri和Ro;;(2) 设Us=10mV(有效值),问Ui=?Uo=? 若C3开路,则Ui=? Uo=? ;Ex.6 若将图P2.7所示电路中的NPN换成PNP型管,其他参数不变,则: (1)为使电路正常放大电源应作如何调整? (2)Q点、Au、Ri和Ro变化吗?如变化,则如何变化?;Ex.7 如图,(1)若输出电压波形底部失真(顶部失真),;若输出电压波形底部失真(饱和失真,Q点过高),则可通过增大R1 、Rs ,减少R2、Rd等方法消除。;若想增大电压放大倍数绝对值,可采取的方法有:(1)增大Rd;(2)减少R1、Rs、增大R2来增大IDQ, 从而增大gm等方法。;解:由图可知,BJT的e结正偏且导通。;Ex.9 在图示电路中,已知场效应管的 ; 问在下列情况下,管子分别工作在那个区?;分析→;Fighting

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