半导体物理-3-第二章分解.ppt

半导体中杂质和缺陷能级;理想半导体： 1、原子严格周期性排列，具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。由本征激发提供载流子。;实际半导体;§2.1 Si、Ge晶体中的杂质能级 1、杂质与杂质能级杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。;在金刚石型晶体中，晶胞中原子的体积百分数为34%，说明还有66%是空隙。Si 中的杂质有两种存在方式， a：间隙式杂质 特点：杂质原子一般较小，锂元素 b：替位式杂质 特点：杂质原子的大小与被替代的晶格原子大小可以相比，价电子壳层结构比较相近，Ⅲ和Ⅴ族元素在Si，Ge中都是替位式;B:替位式→杂质占据格点位置。大小接近、电子壳层结构相近;N型半导体;杂质能级位于禁带中;施主杂质施主能级;(1)VA族的替位杂质——施主杂质;;电离时，P原子能够提供导电电子并形成正电中心，——施主杂质。;;;定义：;3、受主能级：举例：Si中掺硼B;价带空穴 电离受主 B-;在Si中掺入B;;;定义：;施主和受主浓度：ND、NA;;N型半导体 特征：;P型半导体价带空穴数由受主决定，半导体导电的载流子主要是空穴。空穴为多子，电子为少子。;杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）称为杂质电离或杂质激发。具有杂质激发的半导体称为杂质半导体 ;施主向导带提供的载流子 =1016～1017/cm3 本征载流子浓度;上述杂质的特点：;4. 浅能级杂质电离能的简单计算;玻尔原子电子的运动轨道半径为：;类氢模型 氢原子中电子能量 n=1,2,3……，为主量子数，当n=1和无穷时;氢原子基态电子的电离能 考虑到正、负电荷处于介电常数ε=ε0εr的介质中，且处于晶格形成的周期性势场中运动，所以电子的惯性质量要用有效质量代替;类氢模型：计算束缚电子或空穴运动轨道半径及电离能;施主杂??电离能 受主杂质电离能 ;施主能级靠近导带底部;对于Si、Ge掺B;;Ec;(3) ND≈NA;杂质的补偿作用;6. 深杂质能级;;深能级杂质;例1：Au（Ⅰ族）在Ge中;在Ge中掺Au 可产生3个受主能级，1个施主能级;1. Au失去一个电子—施主;Ec;3.Au获得第二个电子;4.Au获得第三个电子;深能级杂质特点： 不容易电离，对载流子浓度影响不大； 一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。;0.35;§2-2 化合物半导体中的杂质能级 ;施主杂质 替代Ⅴ族元素;●等电子杂质 ;●束缚激子 ;●两性杂质;§2.3氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级;点缺陷：空位、间隙原子 线缺陷：位错 面缺陷：层错、晶界;2.元素半导体中的缺陷;(2) 填隙;As;4.Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体的缺陷;a.负离子空位;b.正离子填隙;产生负电中心，起受主作用;产生负电中心，起受主作用;负离子空位;第二章 半导体中的杂质和缺陷能级 1.什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 2.什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出n型半导体。 3.什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出p型半导体。 4.掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。 5.两性杂质和其它杂质有何异同？ 6.深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？ 7.何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？;1、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。 2、解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提供电子，这种杂质就叫施主。 施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。施主电离前不带电，电离后带正电。例如，在Si中掺P，P为Ⅴ族元素。 本征半导体Si为Ⅳ族元素，P掺入Si中后，P的最外层电子有四个与Si的最外层四个电子配对成为共价电子，而P的第五个外层电子将受到热激发挣脱原子实的束缚进入导带成为自由电子。这个过程就是施主电离。;3、解：半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电的离子