半导体物理学刘恩科第七版第五章非平衡载流子分解.ppt

5.1非平衡载流子的注入与复合 5.2非平衡载流子的寿命 5.3 准费米能级 5.4 复合理论 5.5 陷阱效应 5.6载流子的扩散运动 5.7 漂移运动 5.8 连续性方程;;对N型半导体，无光照时， n0》p0 用一定波长的光照射半导体，若光子能量h??Eg, 吸收光子能量，电子被激发到导带，产生电子-空穴对。即产生非平衡载流子?n、?p，?n称为非平衡多子， ?p称为非平衡少子。 p型半导体刚好相反。; ;;3.;非平衡载流子的电注入：给pn结加正向电场。;5.2 非平衡载流子的寿命;非平衡载流子的平均生存时间;5.3 准费米能级;准费米能级：导带费米能级和价带费米能级都是局部的费米能级，称为准费米能级。 导带费米能级称为电子费米能寄，EFn, 价带费米能级称为空穴费米能寄，EFp, 导带和价带的不平衡就表现为它们费米能级不重合。;n、n0, p、p0间的关系为：;有nn0, n?n0 EFn 比EF更靠近导带，偏离EF较小。;EFn、EFp的差反映了np和ni2的偏离程度，偏离越大，不平衡越显著。;5. 4;1.;单位体积内，每一个电子在单位时间都有一定的概率(r)和空穴相复合，显然，与空穴浓度成正比。 R=rnp;;;举例：室温时本征锗、硅的复合概率r和寿命?;5.4.2;甲：复合中心俘获电子过程； 乙：复合中心发射电子过程； 丙：复合中心俘获空穴(Et上电子落入价带)过程； 丁：复合中心发射空穴(价带电子发射到Et)过程；;设导带、价带电子、空穴浓度为n,p 复合中心浓度Nt, nt为Et能级上的电子数，Nt-nt为未被电子占据的复合中心浓度。;平衡时，电子的产生率=电子的俘获率，两过程相互抵消。;n 1 刚好等于EF与复合中心能级Et重合时导带的平衡电子浓度。;稳定情况下，四个过程必须保持复合中心上的电子数nt保持不变。其中，甲、丁过程使复合中心能级上积累电子，而乙、丙过程使复合中心能级上电子数减少，则;稳定条件还可以写为：;当半导体中注入非平衡载流子： npni2, U0;小注入时只与n0、p0、n1、p1有关，与非平衡载流子浓度无关。;; 对强n型半导体(Et在EF之下)：n0、p0、n1、p1中n0最大，即n0p0 寿命简化为;;强n型、强p型、及高阻区是相对的，与复合中心能级Et的位置有关。;假设???合中心是具有一定半径的球体，其截面积为?,截面积越大，俘获载流子的概率越大。 ?描述了复合中心俘获载流子的本领。;深能级复合中心举例;室温下，若rp=1.15x10-7cm3/s; rn=6.3x10-8cm3/s;5.4.3;有效寿命?=体内复合寿命?v + 表面复合?s;影响表面复合速度的因素：受表面物理性质和外界气氛的影响。 Ge: s大约为102-106cm/s Si: 为103-5?103cm/s;5.5;小注入时，杂质能级上的电子数为;陷阱效应 小结：;单位时间通过单位面积的粒子数称为扩散流密度;应等于单位时间单位体积内由于复合而消失的空穴数;一维稳态扩散情况下非平衡少数载流子的扩散方程;载流子未到达另一端就已消失;;A+B=(?P) 0;;;令;扩散效率比平面高 径向造成浓度梯度，增大扩散效率;5.7 载流子的漂移运动;电子的电流密度为;引起扩散，电子的扩散电流密度为;热平衡状态下，无宏观电流;;;既有扩散运动，又有漂移运动;无外电场时均匀半导体均匀产生非平衡载流子;;3.加均匀电场;;;;;;