Chapter 6 Electronic and Microelectronic Materials.ppt

*电子与微电子材料Chapte;概念： 电子材料是指与;*本章内容6.1 导电材料6.;**6.1 导电材料定义：电子;根据使用目的不同，除了导电性外;电导率无限大电导率106 ;ρ=RS/L ρ : 电;***6.1.1 金属导电材料;影响金属电阻率的因素杂质与缺陷;杂质、缺陷、温度、应力是影响导;常用的电线电缆材料纯金属：如铜;*导电材料应具备的性质作为金属;电线电缆材料主要性能电性能导电;6.1.2 快离子导体191;到20世纪70年代中后期，逐渐;肖基特（Schottky）导体;快离子导体和普通 Schott;离子在晶体中的运动特征，取决于;固体结构中存在大量的晶格缺陷；;一维传导是指晶体结构中的传输通;正离子载流子：银离子导体、铜离;6.1.3 聚合物导电材料高;传统的高分子是以共价键相连的一;10－8～10－7 S/m10;其他导电高分子材料 聚噻吩 ;本征导电聚合物导电高分子材料导;电子导电聚合物特征 有机聚合;载流子：正、负离子载流子正、负;氧化还原型导电聚合物氧化还原型;金属导电： 自由电子电子型导;Chapter 6 Elect;导电高分子材料的应用案例 ;隐身技术是当今军事科学的重要技;6.1.4 电阻材料是指常用;在实际应用中，常将电阻材料作成;线绕电阻材料的特点和要求 ;在绝缘基体上(或基片上)用真空;碳膜电阻材料 气态;Chapter 6 Elect;在外电场作用下，材料发生两种响;介电材料 具有很高的电阻系数，;Chapter 6 Elect;Chapter 6 Elect;Chapter 6 Elect;介电陶瓷 dielectric;高频介质陶瓷电性要求：高频电场;*Single-layerMu;微波介质陶瓷应用于微波频段(3;微波介质陶瓷的应用：制作谐振器;6.2.2 压电材料压电效应和;常用的压电陶瓷钛酸钡系钛酸铅－;钛锆酸铅（PZT）：最有代表性;压电陶瓷应用：换能器（超声、电;Chapter 6 Elect;Chapter 6 Elect;Chapter 6 Elect;6.2.4 铁电材料定义，电滞;BaTiO3：典型的铁电陶瓷随;BaTiO3的改性：形成置换固;6.3 半导体材料 Semic;*电导率介于绝缘体及导体之间易;能带理论*Chapter6 E;*合适的禁带宽度高的载流子迁移;6.3.2 半导体分类及特点元;掺杂（ Doping ）：在高;n-型半导体（电子型，施主型）;p-型半导体（空穴型，受主型）;*Chapter6 Elect;化合物半导体——由两种或两种以;固溶半导体——具有半导体性质的;(3)超晶格半导体 超晶格半导;① 组分超晶格——超晶格的重复;② 掺杂超晶格 在同一种半导体;*任何一种半导体材料只要很好控;③ 多维超晶格 *Chapte;④ 应变超晶格 在弹性形变限度;半导体的电阻特性*半导体金属T;6.3.3 PN结把本征半导体;*（1）单晶硅 单晶硅具有;*(1)Performance;*(2)Preparation;*(3)Research an;（2）砷化镓（GaAs）单晶C;*(1)GaAsGaAs中电子;*（1）热阻器 与金属不同，半;*（2）压力传感器 半导体的能;*（3）光敏电阻器半导体的电导;*（4）磁敏电阻在通电的半导体;*（5）光电倍增管光电倍增管是;*（6）发光二极管Chapte;*（7）整流二极管利用PN结的;*（8）齐纳二极管 Zener;*（8）晶体管 Transi;6.4 微电子材料与芯片6.4;光刻原理对底材进行区域选择性保;Manufacturing s;Process*Chapter;Etching resultA;6.4.3 微电子主要材料IC;*邻重氮萘醌 + 线性酚醛环氧;酸增殖反应 光照下光产酸剂分解;负性光刻胶机理：光致耦合、交联;环化橡胶-多叠氮感光体系叠氮光;双叠氮光交联剂*Chapter;水溶性光刻胶水溶性高分子 + ;对光刻胶的要求光刻胶的一般要求;Chapter 6 Elect;Chapter 6 Elect