FLASH存储器和MC68HC908在线编程.ppt

FLASH存储器和 MC68HC908在线编程;FLASH 存储器;FLASH Array; ;- 监控方式的进入 复位向量（$FFFE-$FFFF）为空（$FFFF） 在特定引脚上提供特定电平（复位时） - 监控ROM的指令 - 下载到RAM中的程序;FLASH控制寄存器（FLCR）;FLASH块保护寄存器（FLBPR）;FLASH块保护寄存器（FLBPR）;1) 置PGM位为1； 2) 读出FLASH块保护寄存器； 3) 向页地址范围内（$XX00-XX7F，或$XX80 - $XXFF）任意FLASH单元写入任意值； 4) 延时Tnvs≥10微秒； 5) 置HVEN位为1； 6) 延时Tpgs≥5微秒； 7) 向页内目标地址写入编程数据；;8) 延时Tprog≥30微秒； 9) 重复7）、8），直至同一页内各字节编程 完毕； 10) 清PGM位为0； 11) 延时Tnvh≥5微秒； 12) 清HVEN位为0； 13) 延时Trcv≥1微秒以后，该FLASH页可以被 正常读取。;1) 置ERASE位为1（整体擦除时同时置MASS 位为1）； 2) 读出FLASH块保护寄存器； 3) 向被擦除的FLASH页（整体擦除时为整 个FLASH区）内任意地址写入任意值； 4) 延时Tnvs ≥ 10微秒； 5) 置HVEN位为1； 6) 延时Terase ≥ 1毫秒（整体擦除时为 Tmerase ≥ 4毫秒）；;7) 清ERASE位为0； 8) 延时Tnvh≥5微秒（整体擦除时为 Tnvhl ≥ 100微秒）； 9) 清HVEN位为0； 10) 延时Trcv≥1微秒后，该FLASH页（整体擦 除时为整个FLASH区）可以被正常读取。;FLASH存储器编程范例（常量定义）;FLASH存储器编程范例（延时例程 ）;FLASH存储器编程范例（页擦除例程 1）;FLASH存储器编程范例（页擦除例程 2）;FLASH存储器编程范例（写入程序1）;FLASH存储器编程范例（写入程序2）;FLASH存储器编程范例（写入程序3）;FLASH存储器编程范例（写入程序4）;FLASH存储器编程范例（校验1）;FLASH存储器编程范例（校验2）;Flash In System Programming through SCI Port;监控程序中修改FLASH字节的编程简述（1）;监控程序中修改FLASH字节的编程简述（2）;监控程序中修改FLASH字节的编程图解（1）;监控程序中修改FLASH字节的编程图解（2）;注意事项;MC68HC08GP32IDK监控程序和用户程序的关系;利用ROM中的例程进行FLASH在线编程 (ref. 908LJ12);FLASH 应用一(1) MC68HC08GP32在线开发实验系统;FLASH 应用一(2)MC68HC08GP32在线开发实验系统;FLASH 应用二MC68HC08GP32编程器;FLASH 应用三（1）MC68HC908LJ12???线编程开发工具;FLASH 应用三（2）MC68HC908LJ12在线编程开发工具特点;FLASH 应用四（1）MC68HC908在线编程头;FLASH 应用四（2）MC68HC908在线编程头特点