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目 录
1.课程设计目的与任务书………………………………………………………2
2.物理参数设计…………………………………………………………………3
2.1 各区掺杂浓度及相关参数的计算………………………………………3
2.2 集电区厚度Wc的选择……………………………………………………6
2.3 基区宽度WB………………………………………………………………6
2.4 扩散结深…………………………………………………………………10
2.5 芯片厚度和质量…………………………………………………………10
2.6 晶体管的横向设计、结构参数的选择…………………………………10
3.工艺参数设计…………………………………………………………………11
3.1 工艺部分杂质参数………………………………………………………11
3.2 基区相关参数的计算过程………………………………………………11
3.3 发射区相关参数的计算过程……………………………………………13
3.4 氧化时间的计算…………………………………………………………14
4.设计参数总结…………………………………………………………………16
5.工艺流程图……………………………………………………………………1
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