模电课件第3章(bobo).pptVIP

3.1 半导体的基本知识;3.1 半导体的基本知识; 3.1.1 半导体材料; 现代电子学中，用得最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。; 3.1.2 半导体的共价键结构;1、本征半导体：纯净的,结构完整的半导体晶体;2、 本征半导体的特点：; 3.1.3 本征半导体;+4;3、本征半导体中的两种载流子：;载流子——可以自由移动的带电粒子。 电导率——与材料单位体积中所含载流子数有关，载流子浓度越高，电导率越高。 半导体与导体的区别在于:半导体中有空穴,自由电子和空 穴都能移动。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 半导体材料一定，载流子浓度随温度按指数规律增大，因 此半导体的导电能力随温度增加而增加。; 3.1.4 杂质半导体;1. 电子型（N型）半导体 ;? 特点;2.空穴型（P型）半导体;? 特点; 3.1.4 杂质半导体;总 结;3.2 PN结的形成及特性; 3.2.1 载流子的漂移与扩散; 3.2.2 PN结的形成; 当扩散和漂移达到动态平衡，即形成平衡PN结。; 1、空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴、N中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。 2、P中的电子和N中的空穴（都是少子）数量有限，因此由它们形成的电流很小。; 3.2.3 PN结的单向导电性; 3.2.3 PN结的单向导电性;关键：耗尽层的存在，其宽度随外加的电压而变化。; (3) PN结V-I 特性表达式;(1) 正向特性;反向区也分两个区域：; 3.2.4 PN结的反向击穿;雪崩击穿： 反向电压增大-电荷区电场增大-漂移少子能量增大 -能碰撞晶体原子产生碰撞电离- 获得新的电子空穴对-倍增效应-雪崩击穿。 齐纳击穿： 反向电压增大-电荷区电场增大-电场直接破坏共价键-获得新的电子空穴对-较大形成反向电流 ;扩散电容示意图; 3.2.5 PN结的电容效应;PN结的电容效应由扩散电容和势垒电容综合反应。 PN结反向偏置时电阻大，电容小，主要为势垒电容。 正向偏置时，电容大，取决于扩散电容，电阻小。 频率越高，电容效应越显著。 ;3.3 半导体二极管;半导体二极管;3.3.1 半导体二极管的结构;（a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 ; 3.3.2 二极管的伏安特性; 式中IS 为反向饱和电流，VD 为二极管两端的电压降，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。;(1) 正向特性;反向区也分两个区域：;(3) 反向击穿特性;(1) 最大整流电流IF;(4) 反向恢复时间TRR;3.4 二极管基本电路及其分析方法;3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法;例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 ;解法二：迭代法;1.二极管V-I 特性的建模;(3) 折线模型（实际模型）; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;1.二极管V-I 特性的建模;1.二极管V-I 特性的建模; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;2．模型分析法应用举例;2．模型分析法应用举例;（4）开关电路（略）;2．模型分析法应用举例;3.5 特殊二极管; 正向特性和普通二极管相同;IR;3.5.2 变容二极管;3.5.3 肖特基二极管;3.5.4 光电子器件;3.5.4 光电子器件;3.5.4 光电子器件;小结