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Array制程
;;ARRAY製程; PVD: 導電性薄膜
GE工程: gate electrode, (AL)
SD工程: source electrode, (Cr)
PE工程: pixel electrode, (ITO)
CVD: 半導電性薄膜
絕緣性薄膜;物質四態;Cathode;黃光製程;正光阻、負光阻;FX-21S Main Body;FX-21S New Exposure Technology;周邊曝光;1蝕刻技術分類;FAB II 蝕刻機斜式搬送;Nozzle噴灑;FAB II 蝕刻機斜式搬送;水平式蝕刻;傾斜式搬送純水用量;剝膜目的;剝膜液的性能;PECVD 簡介; PECVD應用: 非晶矽膜 (a-Si);PECVD應用:氮化矽 (Silicon Nitride)SiNx;SiNx;PECVD
SiNx:3000A
;乾蝕刻設備基本構造;;;;;;;;;Gate Driver;G1;G1; 1.因TFT元件的動作類似一個開關(Switch),液晶元件的
作用類似一個電容,藉Switch的ON/OFF對電容儲存的
電壓值進行更新/保持。
2.SW ON時信號寫入(加入、記錄)在液晶電容上,在以外
時間 SW OFF,可防止信號從液晶電容洩漏。
3.在必要時可將保持電容與液晶電容並聯,以改善其保持
特性。;Mask 1:GE (Gate電極形成);Mask 2:SE (島狀半導體形成);Mask 3:SD (Source及Drain電極形成);Mask 4:CH (Contact Hole形成);Mask 5:PE (畫素電極形成)
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