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半导体材料的光吸收，过程及原理半导体材料通常能强烈地吸收光能，具有数量级为105cm-1的吸收系数。本征吸收：光照后，电子由价带向导带的跃迁所引起的光吸收称为本征吸收。光子能量满足的条件： 其中， 是发生本征吸收的最低频率限，相应的 为长波极限，称为半导体的本征吸收限。本征吸收长波限的公式： 本征吸收：直接跃迁和间接跃迁。直接跃迁—— 直接带隙半导体电子吸收光子从价带顶跃迁到导带底状态。满足能量守恒：满足动量守恒：光子动量由于光子动量远小于电子动量所以k=k′即跃迁的过程中，电子的波矢（ k ）可以看作是不变的---电子跃迁的选择定则。只有光子参与跃迁时，电子跃迁前后的波矢不变，电子初态和末态几乎在一条竖直线上---直接跃迁。本征吸收形成一个连续吸收带，并具有一长波吸收限 在直接跃迁中，对任何k值的跃迁都是允许的，则吸收系数与光子能量关系为： 间接跃迁——间接带隙半导体电子吸收光子从价带顶跃迁到导带底的过程中， 这类半导体称为间接带隙半导体。非直接跃迁是电子、光子和声子共同参与的跃迁。Kk’≠Eh EEE ν = ?= ? 电子能量差()kk q ′?= ? ? ?? 光子动量其中，Ep为声子的能量；q ? 为声子的动量。在非直接跃迁过程中，电子不仅吸收光子，同时还和晶格交换一定的振动能量，即放出或吸收一个声子，电子波矢k发生改变----间接跃迁。 激子吸收光子能量hvEg，价电子由价带向稍低于导带底处的的能级的跃迁。电子-空穴的激子能级。价带电子受激发后不足以进入导带而成为自由电子，仍然受到空穴的库仑场作用。实际上，受激电子和空穴互相束缚而 结合在一起成为一个新的系统，这种系统称为激子，这样的光吸收称为激子吸收。激子作为整体是电中性的，不形成电流，可以在晶体中运动一段距离后再复合湮灭，不显示光电导现象。激子消失的途径：通过热激发或其它能量的激发，使激子分离成为自由电子或空穴；激子中的电子和空穴通过复合，使激子消灭而同时放出能量（发射光子或同时发射光子和声子）激子吸收谱激子吸收谱必须在低温时才能观察到。第一个吸收峰对应光子能量为 ，n值越大，激子能级???连续，与本征吸收光谱合并。室温下，激子吸收峰完全被抹掉自由载流子吸收对于一般半导体材料，当入射光子的频率不够高，不足以引起电子从带到带的跃迁或形成激子时，仍然存在着吸收，而且其强度随波长增大而增加。这是自由载流子在同一带内的跃迁所引起的，称为自由载流子吸收。与本征跃迁不同，自由载流子吸收中，电子从低能态到较高能态的跃迁是在同一能带内发生的。和本征吸收的非直接跃迁相似，电子的跃迁也必须伴随着吸收或发射一个声子。因为自由载流子吸收中所吸收的光子能量小于hv，一般是红外吸收。p型Ge中发现三个自由载流子的吸收峰。p型GaAs中也有类似现象。杂质吸收束缚在杂质能级上的电子或空穴也可以引起光的吸收。电子可以吸收光子跃迁到导带能级；空穴也同样可以吸收光子而跃迁到价带（或者说电子离开价带填补了束缚在杂质能级上的空穴）。这种光吸收称为杂质吸收。杂质吸收也引起连续的吸收光谱。杂质吸收一定在本征吸收限以外长波方面形成吸收带。杂质能级越深，能引起杂质吸收的光子能量也越大，吸收峰比较靠近本征吸收限 晶格振动吸收晶体吸收光谱的远红外区，有时还发现一定的吸收带，这是晶格振动吸收形成的。在这种吸收中，子能量直接转换为晶格振动动能。对离子晶体或离子性较强的化合物，存在较强的晶格振动吸收带；在砷化镓及半导体锗、硅中，也都观察到了这种吸收带。 半导体的光电导光吸收使半导体中形成非平衡载流子；而载流子浓度的增大必然使样品电导率增大。这种由光照引起半导体电导率增大的现象。本征光电导：本征吸收引起载流子数目变化。杂质光电导：杂质吸收引起载流子数目变化。光生伏特效应当用适当波长的光照射非均匀半导体（p-n结等）时，由于内建电场的作用（不加外电场），半导体内部产生电动势（光生电压）；如将p-n结短路，则会出现电流（光生电流）。这种由内建电场引起的光电效应。半导体发光电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射光子, 这就是 半导体的发光现象。 产生光子发射的主要条件是系统必须处于非平衡状态，即半导体内必须要有某种激发过程存在，通过非平衡载流子的复合，才能形成发光。 １.表面等离子基元定义、性质、激发方式 定义：spp是指在金属表面存在的自由振动的电子与光子相互作用产生的沿着金属表面传播的电子疏密波。性质：a.其场分布在沿着界面方向是高度局域的，是一个消逝波，且在金属中场分布比在介质中分布更集中，一般分布深度与波长量级相同。b.在平行于表面的方向，场是可以传播的，但是由于金属的损耗存在，所以在传播的过程中会有衰减存在，传播距离有限。c.表面等离激元的色散曲线在自然光的右侧 ，在相同频率的情况下，其波矢量比光波矢量要大。激