第04章主存.ppt-大连理工大学精品课程.ppt

计算机组成与结构;第四章 主存储器;4.1 存储器概述;★ 按在计算机系统中的作用分 　　 主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器等 ;4.2 主存储器;主存储器分类 RAM ( Random Access Memory ) 随机存储器 ROM ( Read Only Memory ) 只读存储器 PROM ( Programmable ROM ) 可编程序的只读存储器 EPROM ( Erasable PROM ) 可擦除可编程序只读存储器 E2PROM ( Electrically EPROM ) 可用电擦除的可编程只读存储器 快擦写读写存储器（flash memory）;主存储器的技术指标 　　;主存储器的基本操作;主存储器的基本操作;4.3 随机读写存储器;1. 静态存储器 ( SRAM )的存储单元;六管SRAM 存储元;2.存储器的组成 存储体 地址译码器 驱动器 I/O电路 控制信号 WE 片选 CS ;2.存储器的组成 存储体 地址译码器 驱动器 I/O电路 控制信号 WE 片选 CS ;SRAM存储器芯片;存储器的开关特性;存储器的开关特性;存储器的开关特性;4Kb SRAM;4Kb SRAM;4k×8b SRAM;3. SRAM 存储芯片实例－2114;;4.动态存储器 ( DRAM );4.动态存储器 ( DRAM );4.动态存储器 ( DRAM );单管DRAM 工作原理 保持信息 字线低， T管截止， Cs中电荷保持，有电荷‘1’无为‘0’。 写入信息 字线高 读出信息 位线预充电为高，字线高，T导通，Cs充放电，位线接放大器检测电流信号。 破坏性读出：读出后要对信息进行重写 ;DRAM存储原理;DRAM存储原理 16K×1 DRAM存储框图;DRAM结构示意图 行列分时寻址 （Multiplexing） RAS ( Row Address Strobe ) ;CAS (Column Address Strobe ) Sense and Refresh Amplifiers;DRAM的特点 可制成高容量高密度的存储器; 功耗小. 破坏性读出，需再生; 速度相对慢; 电容漏电，需动态刷新. 再生（刷新） 为保持存储信息，对电容进行充电以恢复原来的电荷。这一过程称为再生或刷新。 采用“读出”方式进行再生。 由于DRAM每列都有自己的读放，因此，只要依次改变行地址，轮流对存储矩阵的每一行所有单元同时进行读出，当把所有行全部读出一遍，就完成了对存储器的再生;DRAM的刷新 读出方式进行刷新，行再生 刷新周期 2ms 刷新方式 － 集中式、分布式 ;DRAM vs SRAM 引脚数少,封装尺寸小，存储容量较大； 价格比较便宜； 功率小。 速度比SRAM要低； 需再生，浪费时间； 需配套的再生电路，消耗部分功率。 ;4.4 非易失半导体存储器;2.闪速存储器 （Flash Memory） 闪存的特点 固有的非易失性 廉价的高密性 可直接执行性 3.嵌入式系统中的flash memory 嵌入式系统存储器构成 Bootloader 启动过程;闪存和各种存储卡;;4.5 DRAM的研制与发展;2005年台北电脑展 Kingston DDR2 667 1G内存;4.6 存储器与CPU连接 ;位扩展 基本原理 字长不够时，增加位数。加芯片实现字并联。 设计步骤 例 16K×4位→ 16K×8位 1. 计算片数 2. 安排芯片布局 3. 与CPU连线 a. 地址线 b. 数据线 c. 片选线 d. 读写控制线;位扩展连接方式;字扩展 增加存储器中字的数量，字串联 字向扩充位数不变. 由片选信号来区分各片地址 16K×8b 字扩展法 64K×8b;字扩展连接方式;字位扩展 计算芯片数 存储器容量为M×N位 用L×K位芯片 需M/L×N/K片 芯片布局 连接总线;A0～A9;字位扩展连接方式 ;4.7 多体交叉存储器;编址方式 M* j+i j=0,1,2,…,L-1； i=0,1,2,…,M-1 L：每一个体的字节数 M：体数目;交叉编址地址译码;模块间地址不连续 模块内部地址连续;3.重叠与交叉存取控制 多体交叉???储模块的访问方式 同时访问 交叉访问;4.多体交叉存储器存在的意义;本章作业