数字电子技术第2章节.pptVIP

第二章 逻辑门电路;内容概述;第一节 标准TTL与非门;TTL与非门电路组成;TTL与非门工作原理;? 输入端全接高电平：;? 输入端全接高电平，输出为低电平。;TTL与非门工作速度;TTL与非门的外特性及主要参数;TTL与非门的外特性及主要参数;A;低电平噪声容限U NL：;（二）输入特性;TTL与非门的外特性及主要参数;TTL与非门的外特性及主要参数; 1.扇入系数NI是指合格输入端的个数。;;TTL标准与非门的改进型;TTL标准与非门的改进型;TTL标准与非门的改进型;TTL集成电路产品;第二节 其它类型TTL门电路;集电极开路门（OC门）;?;（二）OC 门实现线与逻辑;（三）OC门应用--电平转换器;（三）OC门应用--驱动感性器件;三态输出逻辑门（TSL门）;使 能 端 的 两 种 控 制 方 式;1. 实现总线结构;A=1时，T2、T4导通，T3截止，输出F =0； B=1时，T12、T4导通，T3截止，输出F =0。; 由于三极管多发射极之间实现与逻辑运算，即A、B之间或C、D之间实现与逻辑运算，整个电路实现与或非逻辑运算。; A=B=0：T2、T3导通，T4、T5截止，T7、T9导通，T8、D3截止，因此F =0。;第三节 ECL逻辑门电路 ;基准电压;基准电压;ECL门电路的应用; 1. 开关速度高 ECL电路中的三极管工作在放大区或截止区，消除了饱和带来的存储时间。电阻取值小，高、低电平之差小，缩短了上升时间和下降时间。输出采用射极输出，输出电阻小，负载电容充电的时间减小。目前ECL传输延迟时间已做到0.1ns以内。 2. 逻辑功能强 ECL门电路具有或/或非互补输出端，且采用射极开路形式，允许多个输出端并联，实现输出的线或逻辑。 3. 负载能力强 ECL电路采用射极输出，输出阻抗小，输出电流大；输入级有射极电阻RE，负反馈作用强，输入阻抗高，输入电流小。电路的扇出系数大，实际应用时扇出一般不超过10。 ; 1. 功耗大 ECL电路的功耗为输入级、基准电源和输出级三部分之和。由于电路中电阻值较小，且三极管又工作在非饱和区，所以ECL电路的功耗大，每门平均功耗达40mW。 2. 抗干扰能力差 ECL电路的逻辑摆幅只有0.8V左右，直流噪声容限UN约300mV，抗干扰能力差。 3. 输出电平的稳定性差 由于ECL电路中的三极管导通时工作在放大区，电路的输出电平与T6、T7的发射结压降有关，所以输出电平的变化与温度和电路参数的变化直接相关。;第四节 I2 L逻辑门电路 ;I2 L基本单元电路;I2 L基本单元电路;I2 L基本单元电路;I2 L基本单元电路;I2 L门电路; 1.结构简单，集成度高 I2L电路中只包含NPN和PNP管，没有电阻，各单元之间不需要隔离，工艺简单，节省芯片面积。其基本逻辑单元面积仅为TTL的十分之一。 2. 低电压、微电流工作，功耗低 I2L电路能在0.8V、1nA/单元的情况下工作，是目前功耗最低的集成电路。 3. 品质因数最佳 I2L是目前功耗与速度二者之积的品质因数最好的电路。 4. 生产工艺简单 常规的TTL要经过六次光刻四次扩散，I2L经过四次光刻两次扩散，工艺简单。; 1. 开关速度低 I2L属于饱和型电路，限制了电路的开关速度，I2L反相器的传输时间tpd一般在20ns～30ns之间。 2. 抗干扰能力差 I2L的逻辑摆幅仅700mV左右，噪声容限UN不大于250mV，低于ECL电路，抗干扰能力较差。 3. 多片连接性能差 多片I2L芯片一起使用时，由于各管子输入特性的离散性，基极电流分配不均，严重时电路无法正常工作。 ;第五节 NMOS逻辑门电路 ;MOS管的开关特性;NMOS反相器;NMOS门电路;1;NMOS门电路;第六节 CMOS逻辑门电路 ;CMOS反相器;CMOS反相器;CMOS反相器;CMOS反相器;uI/uO;电路结构：;1. CMOS与非门;2. CMOS或非门;3. CMOS异或门;CMOS门电路的改进型;CMOS门电路的改进型; 高速CMOS电路从工艺上作了改进：1. 采用硅栅工艺制造；