第2章节2极管及其应用.pptVIP

;;第一章 晶体二极管及应用电路;三、本征半导体 ： 纯净的且具有完整晶体结构的半导体。天然的硅和锗经提纯（99. 999%以上）即为本征半导体。 ;;2.半导体中载流子：能够导电的电荷称载流子。 半导体中的两种载流子：自由电子，空穴 两种载流子导电的差异：图1-4 自由电子在晶格中自由运动；空穴运动即价电子的填补空穴的运动，始终在原子的共价键间运动。 ;;四、杂质半导体; 2. P型半导体： 在本征Si和Ge中掺入微量Ⅲ族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入Ⅲ族元素称为受主杂质，简称受主（能供给自由电子）。P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。 ;3. 杂质半导体的载流子浓度： 少量掺杂，平衡状态下：ni2 =n0?p0 其中，ni 为本征浓度，n0 为自由电子浓度，p0 为空穴浓度图1-9 杂质半导体的电荷模型，图中少子未画出来。温度T增加，本征激发加剧， 但本征激发产生的多子远小杂质电离产生的多子。 ★半导体工作机理：杂质是电特性。 Si半导体比Ge半导体有更高的温度。因为同温度时， Si半导体比Ge半导体本征激发弱，更高的温度时Si半导体才会失去杂质导电特性。;五、漂移电流和扩散电流;§1-2 PN结工作原理;－;二 、PN结的特点： 1. 空间电荷区是非线性中性区，内建电场和内建电位差 φ0 （内建电压）。 2 . PN结又称耗尽层。 3 .PN结又称阻挡层：内建电场E阻止两区多子越结扩散。 PN结又称势垒区： 4 . 不对称PN结。 ;;三 、 PN结的单向导电特性： 无外接电压的PN结→开路PN结，平衡状态PN结； PN结外加电压时 →外电路产生电流有两种情况： 1 .正向偏置（简称正偏） PN结：图1-10 PN结外加直流电压V：P区接高电位（正电位），N区接低电位（负电位） →正偏→正向电流;2 .反向偏置（简称反偏）PN结：反偏指P区接低电位（负电位），N区接高电位（正电位）。 ＊ 硅PN结的Is 为pA级 ＊ 温度T增大→ Is;3 PN结的伏安特性 ① 伏安特性方程：I=Is(eU/VT-1); Is 为少子漂移的反向饱和漏电流U为外加电压,VT=KT/q为温度电压当量,常温下位26mV. ② PN结的伏安特性曲线：图1-12;;§1-3 晶体二极管;图1-15;;二极管的RD和rd 1 直流电阻RD： 二极管的伏安特性为曲线→二极管为非线性电阻器件。 结论：① Q点处的电流越大，二极管的直流电阻RD越小； ② 二极管的正反向直流电阻相差很大。;;3 二极管的参数： 最大平均整流电流; 最大反向工作电压VR ; 反向电流IR ; 最高工作频率fm. 、二极管的模型： 器件模型：由理想元件构成的能近似反映电子器件特性的等效电路。 二极管的伏安特性的分段线性近似模型 :⑴ 理想开关模型 ： 二极管 → 理想开关, 正偏时正向电压 = 0，反偏时反向电流 = 0。 图1-19;⑵ 恒压源模型：图1-20(b) 原因：二极管导通时电流较大，rd很小 ，近似认为二极管的端电压不随电流变化 → 恒压特性。 ⑶ 折线近似模型：图1-20(c);二极管的交流小信号模型: → 工作点Q处的交流电阻rd。其交流与直流通路如下图：注意电容C：（1） C称为隔直电容；（2）C称为耦合电容： ;;例1：电路图1-26（a），V(t)=2sin2π×104t(mV) C=200μF ，估算二极管电流中的交流成分id(t) 。 解1）v(t)=0V 时，画出直流通路1-26b图。 2）当v(t) 加入后，画交流通路时将C短路。图1-26C。;四 二极管应用电路 （1）低频及脉冲电路中，做整流、限幅、钳位、稳压、波形变换… （2）集成运放加二极管构成指数、对数、乘法、除法等运算电路 （3）高频电路中做检波、调幅、混频等 ;▼图1-28为典型的单相半波整流电路。分析如下： （1）当vi(t)﹥0→ 二极管正偏 （2）当vi(t) ﹤0 → 二极管反偏;2 . 限幅电路： （1）双向限幅电路：图1-30，设vi(t)=3sinωt （2）单向限幅电路（取Er =0即为教材上的例题）： （3）幅度可调的双向限幅电路： ;例三：如图电路，已知ui（t）=10sinωt（V）VD=0.7V，绘出uo波形。;3 钳位电路（主要用于组成门电路） 能改变信号的直流电压成分，又叫直流恢复电路。图1-3