第五章(全)--光电子技术选读.pptVIP

第五章：光电导探测器;5.1 光电导探测器的工作原理及电流分析 ;如果n(x)表示在x处光生载流子浓度，在外加电场作用下该处的漂移电流密度J(x)为： ;：在x处单位时间吸收的光子数 ;计算量子效： ;可以得到相应的光电流为： ;讨论G 值：;5.2 光电导探测器的噪声及性能参数 ;二、光电导探测器的性能参数; （5.2.3） ;光谱响应曲线分析： ①采用的半导体材料不同导致不同的光谱响应波段： ②当波长由长波限端开始变小时，相应的光子能量增大，随着 波长的减小所有价电子有可能被激发至导带，入射光全部被 吸收，光生载流子的浓度达到最大，此时，光电导响应率达 到最大值。继续减小入射波长，可使光在器件表面很薄的一 层完全吸收，使表面载流子密度很大，导致载流子复合概率 增大，寿命降低，致使短波的响应率明显降低。;C、温度特性;D、探测率;E、光电导的驰豫过程;光电导的驰豫特性限制了器件对 较高调制频率的光功率的响应。;1、碲镉汞光电导探测器;① x=0.2 and T=77K(液氮温度) ： 光谱响应范围：8-14um， 探测率可达2?8*1010cm.Hz1/2/W的数量级。 ② x=0.28 and T=300K or T=195K： 光谱响应范围：3-5um， 当=300K时，探测率可达1010cm.Hz1/2/W。 当工作温度下降至195K或77K时，可使峰值波长向长波方向 延伸，并使探测率提高l-2个数量级。;性能特点： (1)HgCdTe探测器响应率高;(2)响应频带宽(0-几MHz);(3)易于和前置放大器相连接;(4)光电导内增益因子(G)较大，可达50-100。 应用领域： 在大气环境中，目标的红外辐射只能在1-2.5微米、3-5微米和 8-14微米三个窗口内有效传输， HgCdTe探测器的光谱响应恰 恰处在这三个窗口，因此它在热成像技术中有很重要的应用；;温度特性：工作温度降低，探测器响应率提高，相应峰值波长向长波延伸。 ;工作原理：常作成长条形，如图所示。当光点沿长条方向扫过时，外加电场驱使光生载流子沿光点扫描方向迁移，并保证光点扫描速度等于载流子迁移速度，光场在元件上产生的载流子被外加电场扫在一起，最后堆积到元件末端的两电极之间，从而改变该区域的光电导，在外回路得到光信号电流。在光电扫描与载流子迁移过程中，信号经累积(积分)输出，而噪声由于其不相关特性，不会像信号—样累积，从而大大提高了器件的灵敏度，比通常的8-14um波段的红外探测器背景限提高了几倍。;材料要求： （1）要求少数载流子寿命足够长，以免在迁移中很快复合掉； （2）要求扩散系数小，使全部光生载流子更有效地到达终端。 （3）HgCdTe是目前制作扫积型器件最理想的材料。性能优于 锑化铟和镝锡铅。;2、锑化铟光电导探测器 InSb材料：本征半导体，可以作成光电导型、光伏型及光电磁 型。 禁带宽度：室温300K时，Eg=0.17eV；77K时，Eg=0.23eV， 光谱特性：InSb探测器主要靠改变器件工作温度来控制器光谱 相应。 在300K时:长波限波长λc=7.5um,峰值波长 λp=6um， 探测率可达 。;图4—16则表示InSb器件D*、Rv，及噪声电压VN与工作频率f 的关系曲线.;三、碲锡铅(PbSnTe)光电导探测器;四、杂质型光电导探测器;缺点及改进手段：;;5.3.2 多晶光电导探测器;工作原理：;影响性能的因素： 氧化处理的影响：PbS器件光电导的变化与制作过程的氧化程度 有关。氧化处理足够的PbS薄膜经光激发后载流子迁移率变化 大，光电导就大，器件也就更加灵敏???反之，对于氧化处理 不足的薄膜，则光激发后光电导变化小，相应的器件就不够 灵敏;光谱特性：图4—20示出了PbS薄膜光电导探测器的光谱特性。 在室温工作条件下：探测率可达1.5X1011cm.Hz1/2/W，峰值响应波 长为2.4um； 在195K低温条件下：峰值波长接近3um，探测率可高达 1012cm.Hz1/2/W 。;优点：1-3um波段应用最广泛的器件，工艺简单、成熟，器件的 响应率高，可工作于室温，价格低廉等。 缺点： Pbs薄膜光电导探测器的主要缺点是响应时间较长，一般 为100-300us，低温下甚至可长达几十毫秒。图4—21示出 了相应