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第三章 均匀半导体 ;本章内容; 经典力学，包括我们所熟悉的物理量，如质量、速度、动能和势能，以及我们所熟悉的方程，如等，不能用来描述晶体中的电子。但是，如果能够使用经典力学，而不是量子力学，将是十分方便的，因为经典力学的方程很简单，而且经典力学的物理图像很清楚。在这一节里我们将看到，定义准经典力学是可能的。在准经典力学中，仍可以采用经典的物理量，只是需要将电子的真实质量换成电子的有效质量，有效质量包含了电子和晶体周期性势场的相互作用。将有效质量应用到经典力学的方程中，可以正确地预测晶体中的电子在受到来自外部的力（或外力）时的行为。先讨论最简单的情况，一维晶体中的电子。;在第1章，我们讨论了一维晶体中的电子在两种情况下的能量-波失关系。在自由电子近似中，假设势能是常数。E-K关系有如下的形式; 在这种情况下，牛顿定律是成立的。注意到对于自由电子的情况，不存在来自晶体的附加的力，一次采用真正的经典方程和自由电子的真实质量。;在准自由电子模型中，电子处于晶体的某个区域，电子的势能是在两个方向都延伸到无穷远的周期函数。为了得到准自由电子行为的物理图像，用类似于自由电子的形式来表示他们的性质是很方便的。;图3.1（c）E-K曲线 ; 这是一个抛物线方程。可以证明，对于E-K关系是抛物线的区域此处 就是能带底部附近，忽略高阶项是可以的。 对于自由电子，群速度为;自由电子;下面考察作用在电子上的力。根据经典力学 在准经典力学中，对于带底附近的电子，势能 等于 ,并且;电子在运动的过程中，会和原子、缺陷或者是杂志发生碰撞。在碰撞中，能量是传递给其他粒子，同时电子会损失一部分总能量，如图3.2（b）所示。但是，电子还会继续被外加电场加速。加速度为 在最小值附近， 是正值，根据 ，电子在外力的方向上被加速。相反地，在最大值附近，有效质量是负的，这表明电子朝着外力相反的方向加速——这一概念和直觉是相反的。这种结果是由于作用在电子上的总的力，是外部施加的作用力，加上晶体内部所???原子施加在电子上的力。有效质量中计入了内部原子的作用力，所以准经典力学才得以应用。这种违反直觉的情况就是由于内部的作用力，才使得电子在外力作用下向“错误的”方向加速。;3.1.2 三维晶体 在经典力学中，我们用E-K关系来求有效质量，并据此推断电子的行为，例如在外加电场下的运动。记得在第1章，我们通过讨论布洛赫波函数得到了一些关于E-K图的—般形状和性质的知识(例如，关于K的周期性、在布里渊区中心的斜率为零，等等)。 一维情况下关于E-K图的讨论和准经典力学中用到的有效参数可以推广到二维和三维的情况。这里给出三维晶体的结果。 1、 三维布洛赫波由下式给出： 2、 任意一个能带的 关系在 空间是周期性的，周期为 ;3、 从 E-K关系得到的全部信息和从中推出的参数，都包含在简约布里渊区或第一布里渊区。 4、 三维情况下，电子的（群）速度为 5、对于每一个主要晶向，在K=0 处和简约布里渊区的边界都存在相对极值。 6、 对于三维晶体， 关系是很难画出来的。 7、在一个能带的相对极值附近，可以定义有效质量 ，以便应用牛顿定律。在极小值附近，有效质量是正的；在极大值附近，有效质量是负的。 8、在极值附近 曲线的曲率和 的方向有关，从而和电子运动的方向有关。 9、对于立方晶胞结构的半导体，如果在 K=0处有极值，那么曲率就和方向无关，并且有;3.2 导带结构;对于Si（如图3.3（b）所示），导带最小值在100方向，位于大约等于布里渊区边界 K值0.85倍的K值处，这一点就是导带底，绝大多数我们感兴趣的电子都在这里。不幸的是，这里的电子有效质量不是标量，这是因为在此最小值处，沿K空间的不同方向， 关系的曲率不同。对Si沿[100]方向运动的电子，有一个有效质量，叫做纵有效质量 ;还有两个横有效质量，用来表征沿另外两个方向运动的电子，它们是相等的，用 表示。 从图3.3(c)我们看到，Ge导带的绝对最小值位于111方向布里渊区的边界，有效质量也不是标量。在K=0 处还有另一个能量较高的极小值。在此较高能量的极小值处，电子的有效质量是一个标量。 两种最常用的平均方法可以得到两种有效质量 ，—种是电子的电导率有效质量 ，用于电导率和有关的计算；另一类是态密度有效质量 ，用于计算电子浓度。;3.3 价带结构;在 K=0处的两个能带具有相同的最大值。h和l这两个带分别代表重空穴(较小曲率)和轻空穴 (较大曲率)。第三个能带向下分裂了能量 ，这是自旋—轨道