“模拟电路基捶20090901第1次课.ppt

模拟电路基础; 课程进度安排;2. 课程总成绩组成： 作业10％＋期中考30％＋期末考60％; 教材/参考书目/辅导材料;绪 论;1.1 本课程的研究对象;模拟信号举例：;相关知识;模拟电子电路举例;模拟系统举例;;1.2 模拟电子技术的发展及应用;模拟电子技术应用;示 波 器;稳压电源;万 用 表;收 音 机;计算机电源;生产自动化;1.3 课程学习内容;二级管;三极管;集成电路运算放大器;模拟信号的处理电路;5. 信号的产生：产生正弦波、矩形波、三角波、;　 二极管电路 双极型三极管放大电路 场效应管放大电路 功率放大电路 集成运放电路 带反馈的放大电路 信号发生电路 直流稳压电源电路等;1.4 本课程的地位及学习目的;1.5 本课程的学习方法;;模拟电子电路分析基础知识;;Chap1 半导体材料及二极管;半导体 导电特性、结构、导电机理 PN结 形成过程、伏安特性、电容特性 晶体二极管 伏安特性、器件参数、二极管模型、 常见应用电路分析、认识几类特殊二极管;1.1 半导体材料及其特性;☆ 半导体材料 Ⅳ族元素硅（Si）、锗（Ge） III-V族元素的化合物砷化嫁（GaAs）等。 ☆ 半导体按是否有杂质掺入分为两大类 本征半导体 杂质半导体;本征半导体——化学成分纯净的半导体，在物理结构上呈单晶体形态。;Ge;硅和锗的晶体结构;共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。;本征激发 本征半导体中的价电子获得足够的随机热振动能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位。 空穴 原子因失去一个价电子而带正电，这个带正电的“空位”叫空穴。;空穴的“运动”;+4; 电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。;载流子复合：自由电子与空穴在热运动中相遇，使自由电子空穴对消失的现象。;本征载流子的浓度：; 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。; 3.88×1016cm－3K－3/2 （Si） 1.76×1016cm－3K－3/2 （Ge） 1.21 eV （Si） 0.785 eV （Ge） k (玻尔兹曼常数) = 8.63×10－5 eV/K T↑→ ni↑，T=300K， ni(Si) ≈ 1.43×1010cm－3 ni(Ge) ≈ 2.38×1013cm－3 ;杂质半导体 掺入杂质的半导体称为杂质半导体。在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N型半导体 P型半导体 杂质半导体的载流子浓度;掺入少量的Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等）后，自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 多出一个价电子只能位于共价键之外，成为“自由电子”。;在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。;+4;1. 总的空穴数 = 本征激发空穴数 总的自由电子数 = 本征激发的自由电子数+ 杂质原子产生的自由电子数 3. 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子(多子），空穴称为少数载流子(少子）。 在无外电场时，呈电中性;掺入少量Ⅲ族元素（如绷、铝和铟等）后，空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 共价键因缺少一个价电子而出现一个“空位”。;在硅或锗晶体中