ⅲ-ⅴ族氮化鋁鎵銦之能帶結構探討.docVIP

PAGE  PAGE 753 ■ ■ 物理雙月刊（廿五卷五期）2003年10月 Band-offset ratio對分析藍紫光氮化銦鎵量子井雷射特性之影響 文／顏勝宏、林正洋、陳美玲、劉柏挺、郭艷光 摘要 Band-offset ratio在分析氮化銦鎵量子井雷射元件的特性上，是一個很重要的參數。本文以早期最常被使用的比值3：7，與最近被多數人認同的比值7：3，來探討不同band-offset ratio在分析藍紫光氮化銦鎵量子井雷射特性上的差異。研究內容包括，對於雷射元件的電子溢流以及電洞分佈不均勻現象之影響。電子溢流、受激再結合速率、以及電子與電洞濃度分佈等，並且探討量子井個數與臨界電流的關係。研究結果顯示，多量子井結構在較長發光波長時，比值7：3的電子濃度分佈不均勻；而比值3：7的電洞濃度分佈極不均勻。此外，當比值為3：7時，波長小於426 nm的量子井結???以雙量子井的臨界電流較小；當波長大於426 nm時，則是以單量子井的臨界電流為最小。另一方面，當比值為7：3時，分界點則移至450 nm左右。 一、前言 氮化銦鎵(InGaN)半導體雷射在光學儲存、高密度DVD、全彩顯示器、以及醫學的應用等方面的應用，相當具有潛力。1997年，Nakamura等人將氮化銦鎵量子井雷射長在ELOG (epitaxially laterally overgrown GaN)基版板上，得其生命其期超過10,000小時[1]。由於氮化銦鎵量子井雷射存在著電子溢流、以及銦在高溫長晶過程中解離的情形而造成元件性能不佳等問題，因此，研究人員在p態薄膜長一層氮化鋁鎵(AlGaN)阻礙層(blocking layer)，以防止活性層中的銦的解離，同時也解決了電子溢流的問題。但是，加一層上氮化鋁鎵阻礙層雖然有助於防止電子的侷限，但卻也阻礙電洞進入活性層，並且使得在量子井中電洞的分佈不均勻的現象更加惡化[2]。 電子溢流和電洞分佈不均勻與量子井深度有關，然而大家對氮化銦鎵量子井之導電帶井深對價電帶井深的比值(band-offset ratio)尚無共識。不過，我們綜合許多研究後發現，在2000年以前大多數的研究團體者認為活性層的導電帶井深對小於價電帶井深的比值(band-offset ratio)應為上小下大 [3-7]。，大部分的研究人員認為其比值為3：7[3-5]或約4：6[6,7]；2000年之2000年以後，大部分的研究人員，認為其實導電帶井深應該大於價電帶井深[8-18]氮化銦鎵量子井的band-offset ratio應為上大下小，其比值為8：2[8,9]、7.5：2.5[10-12]、約7：3[13-16]、或約6：4[17,18]。其中，被多數人認同的比值為平均值7：3。 因此，本文研究嘗試使用LASTIP (LASer Technology Integrated Program) 分別模擬軟體，來探討藍紫光氮化銦鎵量子井雷射(發光波長介於400 nm與480 nm之間)，以band-offset ratio 3：7與7：3分析時，在雷射特性上的差異，研究內容包括，對於雷射元件的電子溢流以及電洞分佈不均勻現象之影響。電子溢流、受激再結合速率、以及電子與電洞濃度分佈等。同時，我們也將探討，在不同量子井個數下，臨界電流(threshold current)與發光波長之間的關係，並且將模擬結果與其他學者的實驗結果進行比較分析，進而提出藍紫光氮化銦鎵量子井雷射在不同發光波長的最佳設計法則。 二、雷射結構與參數設定 圖一：氮化銦鎵量子井雷射模擬結構圖。 參考實際長晶的長晶結構而設計[19-21]，本文模擬的雷射元件結構如圖一所示根據。如圖一所示，我們設計元件為元件的最底層是先長一層厚度為為3 μm的n-type GaN、，上面長一層是厚度為0.1 μm的n-type 的In0.1Ga0.9N、，接著長一層厚度為1.3 μm的n-type 的Al0.07Ga0.93N披覆層(cladding layer)、，上面再長一層厚度為0.1 μm的n–type 的GaN guiding layer、。接著是則不摻雜的InxGa1-xN/InyGa1-yN多量子井結構的活性層，well及barrier的厚度分別為3 nm及7 nm、。活性層之上接著長為一層厚度0.02 μm的p–type 的Al0.2Ga0.8Nblocking layer阻礙層、，上面再長一層厚度為0.1 μm的p–type 的GaN guiding layer、，接著長一層厚度為為1.3 μm的p–type Al0.07Ga0.93N披覆層、，最後最上面是再長一層厚度為為0