集成电路制造工艺之-外延.pptVIP

第七章 外延 ;如图所示，CMOS器件是做在很薄的轻掺杂p型的外延层上。;气相外延的基本原理 外延层中的杂质分布 低压外延 选择外延 SOS技术 MBE（分子束外延） 外延层厚度和电阻率的测量;7.1 硅气相外延的基本原理;7.1.2 外延薄膜的生长模型;1 反应剂被生长的表面吸附。 2 发生化学反应，生成硅和副产物，副产物立即排出，硅原子始终保持被表面吸附的状态，称为吸附原子。; 如果吸附原子具有比较高的能量，那么这个原子更倾向于沿着表面迁移，如果迁移到一个台阶边缘的位置，如图B位置，由于Si-Si键的相互作用，位置B比位置A更稳定，吸附原子就有很大的可能性保持在此位置。 吸附原子最稳定的位置是所谓的扭转位置（kink position），如图中的位置C。当吸附原子到达一个扭转位置时，形成了一半的Si-Si键，进一步的迁移就不太可能发生了。 在继续生长过程中，更多的吸附原子必定会迁移到扭转位置，从而加入到生长的薄膜中。; 薄膜生长是依靠晶体表面台阶的横向运动进行的，即为二维层状生长模型。 高质量的外延生长需要非常清洁的硅表面。因为外延是横向生长的，晶体表面的杂质会阻碍生长，进而在薄膜上产生层错或位错缺陷。;在高生长速率的情况下，吸附原子没有足够的时间迁移到扭转点，会形成多晶； 随温度升高，硅原子表面迁移率增强，在与其他吸附原子形成硅串之前就已经到达了扭转点，易