第4章集成电路版图设计与工具浅析.pptVIP

集成电路设计技术与工具 ;基本要求;内容提要;4.1 引 言;4.1 引 言;4.2 版图几何设计规则 ;一、工艺层（Layer）;某N阱硅栅工艺的部分工艺层;二、几何设计规则 －规则介绍 ;P+、N+有源区层相关的设计规则及其示意图 ;Poly层相关的设计规则及其示意图 ;Contact层相关的设计规则及其示意图 ;Metal层相关的设计规则及其示意图 ;Pad层相关的设计规则及其示意图 ;二、几何设计规则 －举例及问题讨论;;问题讨论： （1）阱的间距和间隔的规则 N阱通常是深扩散，必须使N阱边缘与邻近的N＋扩散区之间留有足够的间隙，从而保证N阱边缘不与P型衬底中的N＋扩散区短接。内部间隙由沿阱周围的场区氧化层的渐变区所决定。虽然有些工艺允许内部的间隙为零，但“鸟嘴”效应等问题导致了规则1.4（N阱外N阱到N+距离）的设计要求，这是一种保守的估算。;;问题讨论： （2）MOS管的规则 在多晶硅穿过有源区的地方，源和漏扩散区被多晶硅 区所掩蔽。因而，源、漏和沟道是自对准于栅极的。 重要的是，多晶硅必须完全穿过有源区，否则制成的 MOS管就会被源、漏之间的扩散通路所短路。为确保 这一条件得到满足，多晶硅必须超出扩散区边界，例 如该硅栅工艺中规则3.4中规定的1.5μm，这常常称 为“栅伸展”。同时，有源区也必须在多晶硅栅两边扩 展，这样才能有扩散区存在，使载流子进入和流出沟 道