第一章光电效应剖析.pptVIP

课程名称：物理效应及其应用;《物理效应及其应用》课程简介;第一章　光　电　效　应 ;第一节　外光电效应 ;第一节　外光电效应;;爱恩斯坦提出的光量子（光子）假说 ：;逸出功：自由电子逃逸出金属表面所需的最小能量,需要对电子所作的最小的功。;应用实例：光电倍增管 ;二、多电子光电效应;第二节????? 光 电 导 效 应;第三节 光 生 伏 特 效 应 ;一、丹倍效应 ;事实上电子和空穴的扩散系数不同，一般Ｄｎ?Ｄｐ，电子扩散的比空穴快，总扩散电流将沿Ｘ负方向，引起电荷局部积累而打破电中性状态，使光照一面带正电。形成了沿Ｘ方向的电场Ｅｘ，这电场又引起载流子沿Ｘ方向的漂移运动，形成漂移电流： J漂　＝　（ｎｅμｎ＋pｅμｐ）　Ｅｘ 这电流和总扩散电流方向相反，于是总的电流密度 Ｊｘ＝Ｊ扩＋Ｊ漂＝（ｎｅμｎ＋pｅμｐ）Ｅｘ＋ｅ（Ｄｎ－Ｄp）ｄ（?p）/ｄｘ 达到稳定后，电流密度Ｊｘ＝０，从而半导体中的电场： Ｅｘ＝－（Ｄｎ－Ｄp）/（ｎμｎ＋pμｐ）·ｄ（?p）/ｄｘ 在半导体中，载流子的扩散系数与迁移率的比满足爱恩斯坦关系 : Ｄ/μ=kT/e Ｅｘ＝－ｋＴ　 μｎ－μｐ 　ｄ（?p） 　　　　　　　　　　　　 (１－６) 　　　　　　　　eｎμｎ＋pμｐ dx? Ｖｘ＝ｋＴ　　μｎ－μｐ 〔（?p）０－（?p）ｄ〕　　　　　　　　（１－７）