现代半导体器件第3章.ppt

3 MOSFET及相关器件;3.1 引言;环形振荡器的尺寸缩小问题;恒压按比例缩小规则;;3.3 CMOS/BiCMOS3.3.1 源区和漏区结构;;;3.3.2 沟道结构;短沟道效应：随着沟道长度减小，由于沟道中电荷共享作用，栅压所能控制的沟道电荷变少。——阈值电压减小 沟道长度缩短引起的杂质浓度再分布——阈值电压增大 ;反型层迁移率;;3.3.3 栅结构;统计方法和量子效应的影响;3.3.4 栅的介电性能;FN电流（Fowler-Nordheim）;短沟道器件的栅电流特性优于长沟道器件;;3.4 可靠性 3.4.1 热载流子;经验公式： 碰撞电离反馈效应;3.4.2 介质失效;3.5 SOI和三维结构3.5.1 部分耗尽的SOI MOSFET;衬底浮置效应的消除方法： 1.在沟道中形成接触 2.降低多数载流子寿命降低积累电荷量 3.在晶体管衬底区形成与源端直接相连的接触。 4.控制源端带隙;源端带隙工程对亚阈值摆幅的影响;全耗尽SOI MOSFET;各种结构按比例缩小因子;3.6存储结构3.6.1 DRAM;;平面，台状和冠状电容比较;3.6.2 SRAM;漏端轻掺杂方法 改善关态电流特性，提高电流驱动能力 ;单电子存储单元：利用一个电子存储一位信息的结构。 基本工作原理：使单电子进入硅岛粒子形成的势阱中，电子对硅岛充电后引起的TFT阈值电压变化，达到一个能够存储信息的稳定状态。 ;库伦阻塞效应;3.6.3非挥发性存储器（Nonvolatile Memory ）;EEPROM的器件编程方式;CISEI是能够实现编程电压最低的方法;P型环状晕圈结构;3.7 低压/低功耗器件3.7.1 低阈值电压器件;3.7.2 低电压的噪声效应;3.8总结与展望;;;α－6T和C60实现的互补型有机场效应晶体管;;电荷注入晶体管（CHINT）;