西安交通大学赵进全模拟电子技术基础第一章.pptVIP

1.1.1 PN结的形成;+14;平面结构;+4;+4;本征激发产生电子和空穴;电子空穴成对产生;+4;+4;电子和空穴产生过程动画演示; 本征激发使空穴和自由电子成对产生。;在外电场作用下;电子运动形成电子电流;+4;+4;+4;+4;+4;半导体导电机理动画演示;(1) 在半导体中有两种载流子;2．掺杂半导体 ;+4;+4;多出一个电子;+;N型半导体形成过程动画演示;c. 电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数载流 子，简称少子。;(2) P型半导体 ;+4;出现了一个空位;+4;-;P型半导体的形成过程动画演示;c. 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。;当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转为P型；;N;使半导体的一边形成N型区，另一边形成P型区。;(1) 在浓度差的作用下，电子从 N区向P区扩散。;(2) 在浓度差的作用下，空穴从 P区向N区扩散。;在浓度差的作用下，两边多子互相扩散。在P区和N区交界面上，留下了一层不能移动的正、负离子。;即PN结;形成内电场;PN结一方面阻碍多子的扩散;另一方面加速少子的漂移;势垒U0;当扩散与漂移作用平衡时;PN结形成过程动画演示;当N区和P区的掺杂浓度不等时;1.1.2 PN结的单向导电性;-;内电场被削弱;PN结正偏动画演示;内电场增强;此电流称为反向饱和电流，记为IS。;PN结反偏动画