材料科学基础第6章材料的凝固与气相沉积选编.ppt

第6章 材料的凝固与气相沉积;炼钢 浇注 炼铜;凝固：物质从液态到固态的转变过程。 结晶：若凝固后的物质为晶体，则称之为结晶。 作用： ① 凝固过程影响后续工艺性能、使用性能和寿命； ② 凝固是相变过程，可为其它相变的研究提供基础。;第1节 材料凝固时晶核的形成 ;一、材料结晶的基本规律;金属气态、液态和固态的原子排列示意图;2 过冷现象 1）过冷：液态材料在理论结晶温度以下仍保持液态的现象。;定义：液体材料的实际结晶温度（Tn）低于理论结晶温度(Tm)的现象。 即在Tm以下金属仍处于液态。 作用：过冷是凝固的必要条件。 过冷 → 自由能下降（ΔG ↓） → 产生驱动力。; Tn Tm T（℃）;2）过冷度：液体材料的理论结晶温度Tm与其实际温度Tn之差。 △T=Tm-Tn 凝固过程总是在一定的过冷度下进行，即过冷度是凝固的充分条件。 一般为10℃-30℃； 冷却速度愈大、过冷度愈大。;3、结晶的过程;1）形核 （1）定义 液体中最初形成分的一些作为结晶中心的稳定的微小晶体（晶核）的过程。 ;（2）形核的方式 ;均匀形核;;非均匀形核示意图;2）晶粒长大;结晶前沿;描述结晶进程的两个参数： ①形核率：单位时间、单位体积液体中形成的晶核数量。用N表示。 ②长大速度：晶核生长过程中，液固界面在垂直界面方向上单位时间内迁移的距离。用G表示。;二、材料结晶的基本条件 ;（2）热力学条件 △Gv=－Lm△T/Tm 式中，-Lm =HS-HL。 a △T0, △Gv0：过冷是结晶的必要条件（之一）。 b △T越大, △Gv越小：过冷度越大， 越有利于结晶。 c △Gv的绝对值：为凝固过程的驱动力。;因此，要使 ΔGv＜0，必须使ΔT＞0，即 T＜Tm，故ΔT称为过冷度。 晶体凝固的热力学条件表明，实际凝固温度应低于熔点Tm，即需要有过冷度。;2、结构条件 （1）液态结构模型：微晶无序模型与拓扑无序模型。 （2）结构起伏（相起伏）：液态材料中出现的短程有序原子集团的时隐时现现象。是结晶的必要条件（之二）。;三、晶核的形成 ;(2) 临界晶核 d△G/dr=0 rk=-2σ/△Gv 临界晶核：半径为rk的晶胚。 (3) 临界过冷度 rk=-2σTm/Lm△T 临界过冷度△Tk：形成临界晶核时的过冷度。 △T≥△Tk是结晶必要条件。;不同结晶温度下r和ΔG的关系 ;（4）形核功与能量起伏 △Gk＝Skσ/3 临界形核功：形成临界晶核时需额外对形核所做的功。 能量起伏：系统中微小区域的能量偏离平均能量水平而高低不一的现象。 是结晶的必要条件之三。。 ;L-S的体积自由能差可补偿临界晶核所需表面能的2/3； 而另外1/3则依靠液体中存在的能量起伏来补偿。;（5）形核率与过冷度的关系 N=N1(?GK)?N2(? GA) 受N1(形核）和N2（扩散）两因素控制； 形核率与过冷度之间是呈抛物线的关系。;形核率随过冷度增大而增大，超过极大值后，形核率又随过冷度进一步增大而减小。?;2 非均匀形核 依附于液相中某种固体表面（外来杂质表面或容器壁）上形成的过程。;（1）模型：外来物质为一平面，固相晶胚为一球冠。 （2）自由能变化：表达式与均匀形核类似。;（3）临界形核功 利用球冠体积、表面积表达式，结合平衡关系，计算能量变化和临界形核功： σlw=σsw+σslcosθ △Gk非/△Gk=(2-3cosθ+cos3θ)/4;非均匀形核功与均匀形核功对比的示意图 ;;a θ=0时，△Gk非＝0，杂质本身即为晶核； b 1800θ0时，△Gk非△Gk,杂质促进形核 C θ=1800时，△Gk非＝△Gk，杂质不起作用。;?（4）影响非均匀形核的因素 a 过冷度：△T↑→rk↓△Gk↓,有利形核。 b 外来物质表面结构：点阵匹配原理：结构相似，点阵常数相近。 c 外来物质表面形貌：表面下凹有利(形成相同r和?的晶胚）→ ΔG↓。 ;晶体的长大其涉及到长大的形态、长大方式和长大速率。 形态常反映出凝固后晶体的性质； 长大方式决定了长大速率，也就是决定结晶动力学的重要因素。;1、晶核长大的条件 （1）动态过冷。（必要条件） 动态过冷度：晶核长大所需的界面过冷度。;2、液固界面微结构与晶体长大机制;光滑界面 粗糙界面 ;粗糙界面：微观粗糙、宏观平整；金属或合金材料的界面；垂直长大。 光滑界面：微观光滑、宏观粗糙；无机化合物或亚金属材料的界面；横向长大；二维晶核长大、依靠缺陷长大。;2）晶体长大方式和长大速