杭电电子设计考试复习选编.docx

电子设计复习 1.电阻的特点及选取以及碳膜、绕线电阻特点及应用场合 碳膜电阻一般为小功率电阻(小于5W) 特点：成本较低，阻值范围宽，有良好的稳定性，温度系数不大且是负值，是目前应用最广泛的电阻器。 绕线电阻适用于大功率的场合，不适合在高频电路中应用. 它的特点是工作稳定，耐热性能好，误差范围小，额定功率一般在1瓦以上。线绕电阻器具有可靠性高、稳定性好、无非线性，以及电流噪声、温度和电压系数小的优点。 例题：在有防火要求的使用场合，不适合使用的电阻？（金属膜电阻） 在高频电路中，不适合选用的电阻？（绕线电阻） 2.电容的选取及技术参数以及标称容量、进度的换算、寿命与温度关系 电容标称容量：1.0，1.2，1.5，1.8，2.2，2.7，3.3，3.6，3.9，4.2，4.7，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2。 实际电容值取上述基数的10n. 精度：±5%(J级)，±10%(K级)，±20%(M级) 寿命与温度关系：普通电容（CD11系列）寿命1000小时/85°下，工作温度每降低10°C，电解电容寿命增加一倍。每增加10°C，寿命减少一倍。 3.电感分类及参数：高频、低频电感的材料及对应应用场合； 损耗：铁耗、铜耗与频率关系 高频（铁氧体芯）电感非线性元件，电感量随工作频率而改变，可做μH、mH级 低频（矽钢片）电感：频率在几百Ｈｚ以下，可做mH级。 电感损耗有铁损和铜损两部分组成。 铁损：磁涡流产生的损耗，随频率增加而大幅度增加 铜损：漆包线电阻产生的热损耗，工作频率越高绕组的损耗越大 4.1Mos主要技术指标： a、额定电压Uds：它主要由VMOS管的漏源击穿电压U(BR)DS决定 b、最大漏极电流Idmax:标称MOS管电流额定参数 c、阀值电压Ugs(th):又称门极开启电压 d、导通电阻：Ron e、最高工作频率fm: Uds作用下，电子从源区（S）通过沟道到漏区所需要的时间 f、开通时间和关断时间：开通和关断时间越大,则MOS管开关损耗越大. g、极间电容:输入电容：Ciss = CGS+CGD , 输出电容：Coss =CDS+ CGD 4.2三极管主要技术指标： 硅管（PN结压降：0.7V） 锗管（PN结压降：0.3V） 电流放大系数：β管子耐压越高，额定工作电流（ICM）越大，则β越小 反向击穿电压：Ucbo (发射极开路) Uebo（集???极开路） Uceo（基极开路） 三个参数中选最小一个为晶体管击穿电压，一般为Uebo 集电极最大允许电流ICM 集电极最大允许耗散功率PCM Pc=Ic×Uce 耗散功率与环境温度和散热条件有关（RoJ），手册上一般给出环境温度为20℃时PCM值。 截止频率：共射极截止频率fb, 定义为β降到0.707倍时的频率称为fb 1.电流放大系数β： 电流放大系数是电流放大倍数，用来表示 HYPERLINK /sanjiguan.asp 三极管的放大能力。根据三极管工作状态不同，电流放大系数又分为直流放大系数和交流放大系数。 　 直流放大系数是指在静态无输人变化信号时，三极管集电极电流IC和基极电流IB的比值，故又称为直流放大倍数或静态放大系数，一般用hFE或β表示。 　　交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，三极管集电极电流变化量与基极电流变化量的比值，一般用β′表示。β′是反映三极管放大能力的重要指标。 尽管β和β′的含义不同，但在小信号下β≈β′，因此在计算时两者取相同值。 三极管：电流放大系数β特点（待完善） 5.集成运放的主要技术指标 速度类:如GBW,SR 精度:VIO,IIB 增益和噪声抑制能力:CMRR,GAIN 电源:VCC,IQ 理想运算放大器的特点：开环增益无限大的、输入阻抗无限大、输出电阻为零、端口吸入电流为零； 电压跟随器的特点：是共集电极电路，信号从基极输入，射极输出，故又称射极输出器。基极电压与集电极电压相位相同，即输入电压与输出电压同相。这一电路的主要特点是：高输入电阻、低输出电阻、电压增益近似为1，所以叫做电压跟随器。 增益带宽乘积GBW： 单位增益带宽定义为，运放的闭环增益为0dB（1倍）条件下，将一个恒幅正弦小信号输入到运放的输入端，从运放的输出端测得闭环电压增益下降3db（或是相当于运放输入信号的0.707倍）时所对应的信号频率。 GBW=Avd?fH Avd为中频开环差模增益 fH为上限截止频率(-3dB) 举例说明：从技术手册上查询可知，TL064的ＧＢＷ＝１ＭＨＺ，因此如用TL064设计一个放大器，放大器的增益为： 由上面分计算可知，当被放大的信号频率较高时，放大器的增益不宜过大，否则会造成信号失真。 转换速率（也称为摆率