模拟电子技术基础第7章晶体管及其放大电路选编.ppt

第7章 晶体管及其放大电路 本章主要内容： 当ffL时，是频率响应的低频区， 当fLffH时，是频率响应的中频区， 当ffH时，是频率响应的高频区， 共射极放大电路的全频响应波特图: 由图看出，放大电路在中频区增益最大。 5．增益带宽积 对于大多数放大电路，fH fL，故通频带宽BW为 增大通频带宽必须减小 ,但是，中频电压增益与 成反比 提高增益必须增大 ，增益和带宽2者对 的要求互相抵住， 不可兼得，只能根据实际要求进行折中。 例7.7 在下图所示的共射极放大电路中，已知VCC=12V，Rs=1KΩ，Rb1=100 KΩ，Rb2=16 KΩ，Re=1KΩ，Rc= RL =5KΩ；晶体管是硅管，rbb?=100Ω，β0＝100，fT=400MHz，Cob=0.5pF，C1=20uF，C2=1uF，Ce=50uF，试计算该电路的中频电压增益及上限频率和下限频率。 解：（1）静态分析 （2）求解混合π模型中的参数 （3）求解中频电压增益 得中频源电压增益： （4）求解fH和fL 与 的比值大于4，因此取下限频率取 。 7.6.4 共集电极放大电路的频率响应 由于受密勒效应的影响，共射极放大电路的通频带宽较窄。 为了增加带宽，就必须减小或消除密勒效应。 共集电极放大电路和共基极放大电路能满足这样的要求。 由于通频带宽主要取决于上限频率，所以在共集电极放大电路和共基极放大电路的频率分析中，只介绍高频响应。 共集放大电路 共集放大电路的高频小信号等效电路 2.动态分析 7.5.1 共集-共基组合放大电路 由共集电路增益表达式（7.4.3a）和共基电路增益表达式（7.4.6），得 设β1=β2=β，则 电压增益： 2.动态分析 7.5.1 共集-共基组合放大电路 输入电阻Ri： 输入电阻等于第一级放大电路的输入电阻 设β1=β2=β，则 输出电阻等于第二级放大电路的输出电阻，即 7.5.2 共集-共集组合放大电路 可以等效为一只晶体管，称为复合管（也称为达林顿管） 1．四种复合管 (a) NPN+NPN→NPN（第1个元件） (b) PNP+PNP→PNP（第1个元件） 1．四种复合管 (c) NPN+PNP→NPN（第1个元件） (d) PNP+NPN→PNP（第1个元件） ③等效晶体管的类型是第1个元件的类型。 （1）复合管的组成原则 ②第1个元件的集电极电流或射极电流作第2个元件的基极电流，真实电流方向一致。 晶体管组成复合管时，应遵守下述两条原则： ①在正确的外加电压下，每只晶体管均工作在放大区。 （2）复合管的主要参数 ①电流放大系数β (a) NPN+NPN→NPN（第1个元件） 以（a）图为例： 所以 复合管的电流放大系数近似等于每个管子的电流放大系数之乘积。 （2）复合管的主要参数 ②输入电阻rbe (a)和(b)是由两只同类型的晶体管构成的复合管，其输入电阻为 (c)和(d)是两只不同类型的晶体管构成的复合管，其输入电阻为 2．共集－共集放大电路的动态参数 T1和T2是NPN管，复合为一只NPN管，由前述分析，其电流放大系数为： 复合管构成的共集电极放大电路的小信号等效电路： 7.6放大电路的频率响应 载流子通过发射射区、发射结、基区、集电结和集电区形成电流时，出现电荷积累效应，这种效应可用皮法（10-12F）级的极间电容模拟。 当信号频率过高或过低时，必须考虑晶体管极间电容或耦合电容的影响。 当频率低于数兆赫兹时，电容效应可忽略不计，晶体管的交流特性可用低频小信号模型模拟。 当频率足够高时（具体频率值取决于耦合电容的大小），耦合电容（以及旁路电容）对信号相当于短路。 7.6.1 晶体管的高频小信号模型和频率参数 1．晶体管的高频小信号模型 晶体管工作过程中发生的物理现象可用右图的电路元件模拟。 rbb模拟从基极到发射结的基区体电阻（约为几十～几百欧姆）； Cbe是发射结电容（约为10pF～几百pF）；Cbc是集电结电容（约为几个pF）； rbe模拟发射结的正向导通电阻， re模拟发射区的体电阻(远小于rbe)； rbc模拟集电结的反向电阻（约为100kΩ～100MΩ）， rc模拟集电区的体电阻(远小于rbc)。 忽略re和rc，得到晶体管的高频小信号模型： 受控源 模拟发射结电压对集电极电流的控制作用， rce反映基区调制效应（大于100kΩ）。 2．混合π形模型的简化 在高频小信号模型中，通常情况下，rce远大于c-e间所接的负载电阻，而rb?c也远大于并联电容Cb?c的容抗，因而可以将rce、rb?c视为开路，得到简化