模拟版图中的典型器件--青软选编.ppt

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模拟版图中的典型器件--青软选编

模拟版图中的典型器件;模拟版图中的典型器件;模拟版图中的典型器件;电阻;METAL电阻;二、poly电阻 画法:两端用poly cont接出,有效部分是两端cont间的部分,有效部分加res dummylayer。(不同的制程层次不一样);三、diffusion电阻 画法:两端用diffusion cont接出,有效部分是两端cont间的部分,有效部分加res dummylayer。有p/n diffusion之分(不同的制程层次不一样);WELL电阻-NWELL电阻;四、well电阻 2、pwell电阻 画法:两端用pdiffusion cont接出,有效部分是两端cont间的部分,有效部分加res layer。(别忘记pdiffusion要包pimplant);电阻及DUMMY的摆放;; 电阻体两侧 Dummy 可以适当缩小Width,只保持与电阻体的长度一致。;电阻体两侧 Dummy 还可以作为填充的作用。;电阻矩阵可以很好的实现多个电阻阻值不同的有效摆放;电阻体有时会覆盖一层临近金属层作为对电阻的屏蔽保护措施。;电阻;电阻注意事项;电容; 电容的形状一般是方形最好,但有时根据需要,在保证有效面积不变的情况下,形状可以随意调整(主要是根据block的形状与摆放做相应调整,保证block为矩形)。;一、mos电容 画法:poly是电容的一端,一般为正极。 sourcedrain接在一起做电容的另一端,为负极。 还有另一种画法,和普通mos画法一样。(下页);mos电容: Gate为正极 Source/Drain 为负极。 容值很小一般 作为Chip中 Power的高频 滤波之用。 ;二、poly电容 画法:由poly1和poly2组成,需要用metal连接出去,一般poly2为正极。;二、poly电容 右图为poly电容的剖面图; 就是(Metal-Insulator-Metal)金属-绝缘体-金属结构。 画法:一般是顶层metal与倒数第二层metal之间新加了一层CTM层次。 一般把MIM电容划为metal电容。; 画法:一般是利用多层metal之间的相互寄生效应来实现。;Metal电容中的“夹心”电容。;Metal电容中的“梳妆”电容。有些也叫“手指状”电容;电容无论以何种方式做,都应该用ring圈起,与其他器件隔开。;在要求不是很高的时候电容的形状可以根据block的摆放调整。(注意cap上面有跑线)。; 有时会把电容做成小的单位电容,具体摆放时可以根据不同电路中电容的容值摆放多个单位电容来实现空间的有效利用。;在要求较高的???候电容的摆放需要加Dummy;电容及DUMMY的摆放; 可以说电阻电容在模拟电路中即普通又特殊。普通在于它们是模拟电路中最普通不过的器件。特殊在于它们的不请自到,它们寄生在版图中的每个角落,无论是数字版图还是模拟版图。怎样去有效的避免和利用这些寄生出来的不速之客是版图设计者必须考虑的事情,也是一个优秀的版图设计者的必备素质。这就需要我们版图设计工程师在版图设计工作开始之前就要仔细斟酌,跑线的长短、跑线的宽度、跑线的层次、跑线的距离等很多因素都要考虑,只有这样我们才能随着工作资历的增加工作素质才能全面提高,不然的话只能成为一名Layout Engineer ,永远不会成为Layout Designer。;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR;BIPOLAR; 前面我们学习了三极管,我们再来了解一下二极管(DIODE)。 二极管在电路中主要起到整流作用,在一个完整的CHIP中,二极管常用于ESD部分,还有就是防止天线效应(Antenna )。在版图实现上也比较简单主要有三种: MOS型:利用P/N Mos实现电流的单向导通 双极型晶体管型:短接双极型晶体管的基极与集电极 衬底型:利用现有的衬底等层次实现PN结 Netlist中的调用: D100 A B PD M=1 $EA=1e-10 LVS Commandfile 中的定义: DEVICE D(PD) ndio psub tndiff;DIODE;;;;;电感; 电感在Netlist中的调用: Lxx neg pos nr=nr $[ind] 电感在lvs commandfile 中的定义: DEVICE L(ind) inddev metal

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