模拟电子技术_二极管及其基本电路选编.ppt

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2017-04-23 发布于湖北
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模拟电子技术_二极管及其基本电路选编.ppt

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模拟电子技术_二极管及其基本电路选编

第三章二极管及其基本电路;典型的半导体材料 ;半导体的共价键结构;本征半导体;本征激发;外电场使自由电子导电;杂质半导体;P 型半导体;P 型半导体;N 型半导体;N 型半导体; 半导体材料－本征半导体结构－半导体掺杂;小结;3.2 PN结的形成及特性; 3.2.1 载流子的漂移与扩散;（1）两边的浓度差引起载流子的扩散运动（2）复合形成内电场：阻挡扩散，促使漂移（3）扩散和漂移动态平衡：PN结（空间电荷区、耗尽层、势垒区）;补充： PN结;;;;1、空间电荷区中没有载流子。;因浓度差?;外加电压才显示出来外加正向电压： P 区接电源正极，或使 P 区的电位高于N 区。P(＋) N(－) 外加反向电压： N 区接电源正极，或使得 N 区的电位高于 P 区。P(－) N(＋) ;PN结加正向偏置电压（正偏）;PN结加反向偏置电压（反偏）;PN结的单向导电性;PN结的伏安特性，定量表述---以硅二极管的PN结为例 ; 3.2.4 PN结的反向击穿;PN结的反向击穿的物理本质; PN结：空间电荷区、耗尽层、势垒区、阻挡层