模拟电子电路第三章场效应管及其基本电路选编.ppt

第三章 场效应管及其基本电路;场效应晶体管（场效应管）利用多数载流子的漂移运动形成电流。;JFET：利用栅源电压（ 输入电压）对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而实现对漏极电流（输出电流）的控制。;N沟道;3―1 结型场效应管 ;P;图3-1 结型场效应管的结构示意图和符号 ;3.1.2 工作原理 ;N;(b) UGS负压增大，沟道变窄;(c) UGS负压进一步增大，沟道夹断;图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (a)转移特性曲线；(b)输出特性曲线 ;2. ID与UDS、UGS之间的关系 ;3―1―2 结型场效应管的特性曲线;2. 转移特性曲线 ; 根据工作情况, 输出特性可划分为4个区域, 即: 可变电阻区、 恒流区、击穿区和截止区。 ;二、输出特性曲线;图3―3JFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (a)转移特性曲线；(b)输出特性曲线 ; 当uDS很小时， uDS对沟道的影响可以忽略，沟道的宽度及相应的电阻值仅受uGS的控制。输出特性可近似为一组直线，此时，JFET可看成一个受uGS控制的可变线性电阻器（称为JFET的输出电阻）；;2.恒流区;(1)当UGSoffuGS0时，uGS变化，曲线平移，iD与uGS符合平方律关系， uGS对iD的控制能力很强。;4.击穿区; 图3―4 uDS对导电沟道的影响;综上分析可知;3―2 绝缘栅场效应管(IGFET);图3―5绝缘栅(金属-氧化物-半导体)场效应管结构示意图 (a)立体图；(b)剖面图 ;MOSFET;3―2―1 绝缘栅场效应管的结构;图3―6N沟道增强型MOS场效应管的沟道形成及符号;二、转移特性; 式中：UGSth——开启电压(或阈值电压)； μn——沟道电子运动的迁移率； Cox——单位面积栅极电容； W——沟道宽度； L——沟道长度(见图3―5(a))； W/L——MOS管的宽长比。 在MOS集成电路设计中，宽长比是一个极为重要的参数。 ;iD;三、输出特性; 图3―8输出特性 (a)输出特性；(b)厄尔利电压 ;(3)恒流区;G;3―2―3 N沟道耗尽型 MOSFET (Depletion NMOSFET);图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号 (a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号;图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号(a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号;图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号 (a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号;3―2―4各种类型MOS管的符号及特性对比;图3―11各种场效应管的符号对比;i;图3―12各种场效应管的转移特性和输出特性对比;3―3 场效应管的参数和小信号模型;3.输入电阻RGS;D;三、交流参数;而对增强型MOSFET，其电流方程为;2.输出电阻rds ;D; 图3―8输出特性; 若输入为正弦量，上式可改写为;r;3―4 场效应管放大器; 图3―14场效应管偏置方式 (a)自偏压方式； (b)混合偏置方式 ;一、图解法;R;2.对于混合偏置方式;解析法;图3―16共源放大器电路及其低频小信号等效电路 (a)电路；(b)低频小信号等效电路;图3―16共源放大器电路及其低频小信号等效电路 (a)电路；(b)低频小信号等效电路;式中， ，且一般满足RD‖RLrds。所以， 共源放大器的放大倍数Au为;输入电阻： ;例 场效应管放大器电路如图3―18(a)所示，已知工作点的gm=5mA/V，试画出低频小信号等效电路，并计算增益Au。;u;RS1;1. 放大倍数Au ; 图3―18带电流负反馈的放大电路 (a)电路；(b)等效电路；(c)简化等效电路;C;图3―19共漏电路及其等效电路 (a)电路；(b)等效电路;1. 放大倍数Au ;图3―20计算共漏电路输出电阻Ro的等效电路;图3―20计算共漏电路输出电阻Ro的等效电路;由图可见 ; 3.输入电阻 ;Date;新型半导体MOS器件研究 ;1958年集成电路发明以来,为了提高电子集成系统的性能，降低成本 (1)集成电路的特征尺寸不断缩小，制作工艺的加工精度不断提高 (2)同时硅片的面积不断增大 (3)40多年来，集成电路芯片的发展基本上遵循了摩尔定律，即每隔三年集成度增加4倍，晶体管尺寸按0.7的