模拟电子技术模电之二极管课件选编.ppt

3 二极管及其基本电路;3.1 半导体的基本知识; 3.1.1 半导体材料; 3.1.2 半导体的共价键结构; 3.1.3 本征半导体; 3.1.4 杂质半导体; 1. N型半导体; 2. P型半导体; 3. 杂质对半导体导电性的影响; 本征半导体、杂质半导体;3.2 PN结的形成及特性; 3.2.1 载流子的漂移与扩散; 3.2.2 PN结的形成; 3.2.2 PN结的形成; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:; 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽区。电子从N区到P区必须越过空间电荷区产生的能量高坡，也称为势垒区。 ;　　非对称PN结：在掺杂浓度不对称的 PN 结中，耗尽区在掺杂浓度大的一边延伸较小，而在掺杂浓度小的一边延伸较大。; 3.2.3 PN结的单向导电性; 3.2.3 PN结的单向导电性;PN结加正向电压时导通;－;PN结加正向电压时导通;PN结加正向电压时导通;PN结加正向电压时导通;PN结加反向电压时截止;PN结加反向电压时截止;PN结加反向电压时截止;PN结加反向电压时截止;归纳：; 3.2.3 PN结的单向导电性;3. PN结V-I特性的表达式; 当加正向电压时：;i/mA;;清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn;;3.3 半导体二极管;3.3.1 半导体二极管的结构;（a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 ;; 3.3.2 二极管的伏安特性;3.3.2 二极管的V-I特性;3.3.2 二极管的V-I特性;3.3.2 二极管的V-I特性; 3.3.3 二极管的主要参数;IF：最大整流电流;3.3.3 二极管的主要参数;3.4 二极管基本电路及其分析方法;3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法;例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 ; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;2．模型分析法应用举例;2．模型分析法应用举例;2．模型分析法应用举例;end;3.5 特殊二极管;(1) 稳定电压VZ;3. 稳压电???;3.5.2 变容二极管;3.5.3 肖特基二极管;3.5.4 光电子器件;3.5.4 光电子器件;3.5.4 光电子器件;;;;;;;;1.理想二极管的正向电阻为 -- ，反向电阻为 ____。 2.放大电路的四种组态分别是________、________、________、__________。 3．在本征半导体中加入( )元素可形成N 型半导体，加入( )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将( ) 。 A.增大 B.不变 C.减小;;4. 二极管电路如图4（a）所示，设二极管为理想的。 试求电路的传输特性（vo～vi特性），画出vo～vi波形；（7分） 假定输入电压如图4（b）所示，试画出相应的vo波形。（3分）;;作业;;