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实验十四 衍射光强的定量研究与 单缝的测量 【实验目的】 1．掌握在光具座上组装、调整光路的实验技能；学习微机自动控制进行测量时相关参量的设定。 2．了解光强测量的一种方法，观察并定量测定衍射元件产生的光衍射图样；掌握一种单缝宽度的测量方法。 【实验原理】 1．衍射光强分布谱 光的衍射是人所共知的一种自然现象，光衍射的实验光路主要由光源、衍射元件和观察屏等三要素，在光具座或光学平台上组装而成。根据三者间距离的大小，将光衍射效应大致分成两种典型的光衍射图样，一种是衍射元件与光源和观察屏都相距无穷远，产生这种类型的光衍射叫夫琅禾费衍射，另一种是上述三者间相距有限远，产生的光衍射叫做菲涅耳衍射。由于激光光束平行度较佳，且三者间距离远大于元件的线度，故本实验着重研究更具有实际意义的夫琅禾费衍射。 根据光衍射理论分析，不同衍射元件产生的光衍射图样和光强分布是不同的。在理想条件下，理论研究不同衍射元件产生的衍射效应，得到对应的夫琅禾费衍射光强计算公式为： ⑴ 单缝夫琅禾费衍射光强理论计算公式 上式表示在衍射角θ时，观测点的光强Iθ值与光波波长λ值和单缝宽度a相关，被叫做单缝衍射因子，表征衍射光场内任一点相对强度（I0/Iθ）的大小。若sinθ为横坐标，（I0/Iθ）为纵坐标，可得到单缝衍射光强分布谱（如图14-1）。 从图14-1可见，零衍射斑即主极大在中心，高级衍射斑即次极大，它们顺序出现在sinθ=±1.43，±2.46，±3.47，…的位置，各级次极强的光强与入射光强比值分别是I1/I0≈4.7%，I2/I0≈1.7%，I3/I0≈0.08%，…。此外，在单缝衍射光强分布谱上还有暗斑，依次出现在sinθ=±，±2，±3，…的位置，分别称为±1、±2、±3、…级。则中央主极大的角宽度满足： sinθ= （14-1） 图14-1 单缝夫琅禾费衍射光强分布谱 ⑵ 多缝夫琅禾费衍射光强理论计算公式 其中， 图14-2 多缝夫琅禾费衍射光强分布谱 此式与上述单缝衍射的区别在于多了一个因子[sin（Nβ）/sinβ]2，因为N个等宽a、等间距d的平行狭缝之间存在光干涉效应，[sin（Nβ）/sinβ]叫做干涉因子???光衍射效应和光干涉效应同时存在，使多缝衍射光强分布谱具有某些明显特征。例如，主极大位置与缝数目N无关，但N越大，主极大宽度越小；相邻主极大间有N-1个暗斑和N-2个次极大位置；光强分布谱外部轮廓（包络线型）与单缝衍射的形状相同，因为单缝衍射因子[sin（u）/u]2改变入射光强在各级主极大间的分配，当各极大位置刚好是单缝衍射因子零值处，主极大消失，出现缺级现象。图14-2给出了N=5，d=3a时的光强分布图。 图中（a）是单缝衍射因子的图样；（b）是缝间干涉因子的图样；（c）是实际多缝时的情况（也是通常光栅的图样，只是对光栅而言N很大，主极大很细，次极大已经看不见了）。其主极大、次极大、缺级等现象一目了然。 而双缝时在中央主极大范围内观测到的是一组等间距的、明暗相间的干涉条纹（扬氏双缝图案），且条纹间距满足： （14-2） 2．光强测定原理 上述衍射光强分布谱测定要借助光探测器的仪器，此设备中关键的光探测元件叫做光传感元件，根据光与物质相互作用产生的效应类型，诸如光状效应、光电导效应和光能热量转换效应等，制作而成典型的光探测元器件，例如光电池、光电二极管、光电管和光电倍增管、光敏电阻、CCD以及温差电介和热释电器件等。本实验使用硅光电二极管测定光强大小，光照射在半导体材料硅上，若光子能量大于硅的禁带宽度，将产生电子——空穴对，从而产生光电流，测定光电流大小可以知道被测光强大小。 θ 激光器 多缝板 接收元件 L D 图14-3 本实验采用微机自动控制的测量手段，实现数据的光电变换，A/D转换和数字化处理以显示、打印和网络传输等众多功能。可观察，定量测量和研究各种衍射元件，诸如单缝、多缝、圆孔和方孔等的衍射光强分布谱和相关参数，并与理论值进行比较。同样道理，也可进行光干涉现象的定量观察与测量。 3．单缝衍射及其缝宽的测量 实验中利用计算机自动控制测量可以测出单缝衍射两个第一极小间的距离L，如图14-3，则 有 （14-3） 由于实验中光电探测器表面在仪器里面，无法直接准确测定出衍射屏到接收器之间的距离D，所以可以先通过已知缝间距d的双缝衍射屏，通过双缝干涉的原理，即干涉条纹间距Δx满足 则