场效应管识别和检测.ppt

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场效应管识别和检测

常 用 电 子 元 器 件 -场效应管; 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点:   具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. ;3;结型场效应管JFET;一、场效应管的种类;N沟道;N;N;P;绝缘栅场效应管:;N 沟道耗尽型;N;P 沟道耗尽型;三、场效应管的识别与检测;金属封装场效应管;2.场效应管的符号;2.场效应管的符号;3. 场效应管引脚的识别;3. 场效应管引脚的识别;1.结型场效应晶体管栅极的判断 2. 场效应晶体管好坏的判断 ??? 先用MF10型万用表R*100KΩ挡(内置有15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。再该用万用表R*1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正表笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管是好的。 ;四、场效应管的主要参数;④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值, 结型场效应三极管,反偏时RGS约大于107Ω,绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109~1015Ω。 ⑤ 低频跨导gm 低频跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。(相当于普通晶体管的hEF ),单位是mS(毫西门子)。 ⑥ 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定,与双极型三极管的PCM相当。;⑦ 极限漏极电流ID 是漏极能够输出的最大电流,相当于普通三极管的ICM , 其值与温度有关,通常手册上标注的是温度为25℃时的值。一般指的是连续工作电流,若为瞬时工作电流,则标注为IDM ,这个值通常大于ID 。 ⑧ 最大漏源电压UDSS 是场效应管漏源极之间可以承受的最大电压(相当于普通晶体管的最大反向工作电压UCEO ),有时也用UDS表示。;五、使用场效应管的注意事项;3.使用场效应管时必须注意 为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好接地; 在焊接管脚时,先焊源极; 在连入电路之前,管子的全部引线保持互相短接状态,焊接完后才可把短接线去掉; 从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地(如采用接地环等); 如果能采用静电电烙铁来焊接场效应管是比较方便的,并且可以确保安全; 不能带电插拔。;4.场效应管的安装 注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件; 管脚引线在弯曲时,应在距离根部5 mm外进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。 对于功率型场效应管,要有良好的散热条件。因为功率场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,以使器件长期稳定可靠地工作。

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