掺杂工艺.pptVIP

第11章 掺杂;回忆： 基本的工艺步骤 ;掺杂 把可控数量的杂质引入硅片内的基本办法。（改变半导体的电特性） 热扩散 利用高温驱动杂质穿过硅晶体结构 离子注入 通过高温离子轰击，使杂质注入硅片，杂质通过与硅片发生原子级的高能碰撞，才能被注入;11.1 基本的扩散工艺一、概念;2、几种类型 同型掺杂：器件中所掺杂质与原有杂质类 型相同。 异型掺杂：器件中所掺杂质与原有杂质类 型相同。 纵向扩散：外来杂质原子竖直进入晶圆。 横向扩散：进入晶圆的部分原子进行了横向的运动。 ;横向扩散;3、扩散方程式;以下式表示杂质原子流密度;考虑施加恒定电场E时：;扩散系数;1）扩散系数与温度有关;4、扩散分布;1. 恒定表面源扩散;;2. 有限表面源扩散 扩散前在硅片表面先淀积一层杂质，在整个过程中，这层杂质作为扩散源，不再有新源补充，杂质总量不再变化。这种类型的扩散称为有限表面源扩散。 其扩散后杂质浓度分布为高斯函数分布 ;;二、工艺方法;;;;液态源扩散－－常用POCl3;影响扩散参量的因素;;预淀积（或预扩散）： 选用恒定表面源扩散，在硅片中注入定量的杂质。;淀积步骤：;推进氧化：利用有限源扩散，同时达到表面浓度和PN结