第02章晶体缺陷试题.ppt

第二章 晶体缺陷;第一节 材料的实际晶体结构;一、多晶体结构;一、多晶体结构;二、多晶体的组织与性能：;三、晶体中的缺陷概论;三、晶体中的缺陷概论;第二节 点缺陷;二、点缺陷的形成;; 设每个空位的形成能为u，空位浓度为x时自由能的变化为： ;第二节 点缺陷;第二节 点缺陷;四、点缺陷的表示; 克鲁格维克符号是描述离子晶体缺陷的一种标准符号，它包含三个部分：符号的主体显示缺陷是一个空位（V）还是一个离子（例如Mg），下标说明缺陷所处的位置，或者是晶格的格点，或者是晶格的间隙位置（i），而上标则表示缺陷相对于完整晶格的有效电荷（或者相对电荷），其中?代表正电荷， ’代表负电荷，x表示电中性。例如 ，V表示空位，下标Mg表示缺陷处于晶格中Mg所占据的格点，而上标 ’’ 表示相对于完整晶格，该空位带两个负电，这是由于晶格中的Mg2+缺失造成的。Al 则表示处于晶格间隙位置的Al3+，上标表示相对于完整晶格Al3+的存在使间隙位置多了3个正电荷。 则表示杂质离子Fe2+占据晶格Mg2+的格点。过渡金属元素常常有多种价态。例如在TiO2中，钛离子的氧化态主要是+4，其中如果出现+3价的钛离子，则可以描述成一个带负电的点缺陷： 。离子晶体中的自由电子或自由空穴，则分别用e’和h 表示。 ;用克鲁格维克符号可以描述离子晶体中的点缺陷的形成，即缺陷化学方程。除了满足一般化学方程所需要满足的质量平衡和电荷平衡以外，缺陷化学方程还必须满足晶格格点的平衡。格点平衡是指晶体中的阳离子格点对阴离子格点的比例必须保持不变，而晶格格点的总数可以增加或者减少。而为了保持电荷平衡，缺陷化学方程中的缺陷的总有效电荷必须保持平衡。下面介绍几类离子晶体中常见的点缺陷形成的缺陷化学方程。 对于正负离子尺寸差异较大、结构配位数较低的离子晶体，小离子比较容易进入相邻晶格间隙，形成弗仑克尔缺陷。AgCl和AgBr中常见的缺陷就是Ag+进入间隙位置形成的弗仑克尔缺陷： CaF2中则是阴离子进入晶格间隙，这种阴离子形成的弗仑克尔缺陷也称为反弗仑克尔缺陷： 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 对于结构配位数高，即排列比较密集的晶体，如NaCl，肖特基缺陷则更容易形成： 　　 ;五、热缺陷平衡方程 ; 对于正阴离子尺寸差异较大、结构配位数较低的离子晶体，小离子比较容易进入相邻晶格间隙，形成弗仑克尔缺陷。AgCl和AgBr中常见的缺陷就是Ag+进入间隙位置形成的弗仑克尔缺陷：;组成缺陷方程 ; 而如果掺入的离子与被替代的离子价态不相等，则称为不等价掺杂。不等价掺杂的杂质原子是带电的点缺陷，因此必须产生其它的带电缺陷以保持电荷平衡，通常称为电荷补偿。对于主族金属元素，由于它们只有一个价态，其氧化物组成严格维持化学计量比，不等价掺杂通常都是通过带电的原子缺陷进行补偿的。例如在MgO中掺入Al2O3 ; 过渡金属离子晶体中的不等价掺杂情况则比较复杂。以TiO2中掺入Nb2O5为例，既可能发生原子缺陷补偿：;非化学计量缺陷化学方程;在TiO2-x中，过剩电子被束缚在 周围，成为准自由电子，这种结构通常称为F’-色心，准自由电子能吸收一定波长的光而从基态到激发态，使氧化钛从黄色变成蓝色直至灰黑色。在电场的作用下，准自由电子也能参与导电，因此存在氧空位的氧化钛是一种n型半导体，不能作为介质材料使用。 ;2. 阳离子过剩而产生间隙阳离子;如果锌离子化程度不足，可以有　;3. 阴离子过剩而产生间隙阴离子;4. 阴离子过剩而产生阳离子空位; 非化学计量缺陷的浓度与气氛的性质及大小有关，这是它和别的缺陷的最大不同之处。此外，这种缺陷的浓度也与温度有关，这从平衡常数K与温度的关系中反映出来。 ;氧化锆测氧原理 ;六、点缺陷对材料性能的影响;例题一;分子式：Al1.9946 Ni0.005 Cr0.0004 O2.9975) （2）1 －0.005 －0.0002 = 0.9948 0.005NiO0.0002Cr2O30.9948Al2O3 含有0.0025mol氧空位，相当于0.00083mol的Al2O3的氧空位，由于固溶前后体积不变，应该假定掺杂前有 0.00083mol的Al2O3空缺。 ;;第三节 位错 ;一、位错的原子模型;一、位错的原子模型;一、位错的原子模型;二、柏氏矢量 ;二、柏氏矢量 ;三、位错的运动 ;三、位错的运动 ;三、位错的运动 ;三、位错的运动 ;三、位错的运动 ;三、位错的运动 ;三、位错的运动 ;四、位错的观察 ;四、位错的观察 ;五 位错的弹性特征