07届半导体物理考试.doc

姓名 学号 学院 专业 座位号 ( 密 封 线 内 不 答 题 ) ……………………………………………………密………………………………………………封………………………………………线……………………………………线……………………………………… _____________ ________ … 诚信应考,考试作弊将带来严重后果！ 华南理工大学期末考试 《半导体物理》试卷 2009.07.08 注意事项：1. 考前请将密封线内填写清楚； 2. 所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)； 3．考试形式：闭卷； 4. 本试卷共六大题，满分100分， 考试时间120分钟。 题 号一二三四五六总分得 分评卷人 选择题（10分） 本征半导体是指________导体 A．不含杂质和缺陷 B．电子密度和空穴密度相等 C．电阻率最高 D．电子密度和本征载流子密度相等 2．砷化镓的导带极值位于布里渊区的________方向 A．布里渊区中心 B．1 1 1方向近边界处 C．1 0 0方向近边界处 D．1 1 0方向近边界处 3. 半导体的载流子扩散系数的大小决定于其中的 A．符合机构 B．散射机构 C．能带结构 D．晶体结构 4. 在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其________ A．禁带较窄 B．禁带是间接跃迁型 C．禁带较宽 D．禁带是直接跃迁型 5. 公式中的是载流子的___________ A．渡越时间 B．寿命 C．平均自由时间 D．扩散系数 解释下列概念（10分） 空穴 浅能级杂质 声子 迁移率 光电导 问答题（20分） 1.如下图是有三种原子构成的二维晶体网格 画出布拉菲格子 画出两种形式的原胞，并分别指出每个原胞的原胞个数 2.画出砷化镓的晶体结构示意图，并说明其能带特点 证明题（20分） 当且载流子的浓度 ， 时，半导体材料的电导率最小，并求的表达式 五、计算???（20分） 光照如图所示，n型半导体样品，假设光被均匀吸收，电子空穴对的产生率是G，（小注入）在以下两种情况下分别求出稳态的非平衡空穴浓度分布 不考虑表面复合 在x=0的表面的表面复合速度S X O 六、计算题(20分) 由金属-SiO2-P型硅组成的MOS结构，当外加电压使半导体表面少数载流子浓度ns与内部载流子浓度PP0相等时，作为临界强反型条件 试证明临街强反型时，半导体表面势，其中 画出临界强反型是半导体的能带图，标明相关符号，并把反型、耗尽、中性区各部分用竖线分开，用文字指明