电子工程物理基础v1.1(4-1)选编.pptVIP

唐洁影 东南大学电子科学与工程学院; ;电子可控; Elemental （元素）;Diamond lattice (金刚石晶格) Si、Ge…..;研究半导体原子状态和电子状态以及各种半导体器件 内部电子过程的学科—半导体物理 固体物理学的一个分支 ;;微电子学 研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及系统的电子学分支 ;;本课程主要参考书 《半导体物理学》 第6版 刘恩科 电子工业出版社;第4章 半导体中电子的状态;4.1 电子的分布;能量分布;能量分布～空间分布; ;;晶体;假设原子能级与能带一一对应;典型的半导体元素Si、Ge的能带;;*设近满带电流为j（k），则 ;结论：当满带附近有空状态k’时，整个能带中的电流，以及电流在外场作用下的变化，完全如同存在一个带正电荷q和具有正有效质量|mn* | 、速度为v（k’）的粒子的情况一样，这样假想的粒子称为空穴。;统称载流子;;;;2. 电中性;相对于少数载流子的寿命而言，多数载流子的介电弛豫时间往往短得可以忽略。 ;;;1. 典型半导体的能带结构及表示式;;硅的导带底附近的等能面形状，沿100轴的6个椭球;锗的导带底等能面形状，沿111轴的8个椭球,在第一布氏区实际为4个椭球;Si: Eg=1.17eV;载流子浓度=(∫能态密度g(E) ×分布函数f(E)dE)/V 能态密度g(E)—单位能量间隔中的量子态数（能级数） 分布函数f(E)—能量为E的量子态被一个粒子占据的几率.;;单位能量间隔中的状态数:;[001] :;各向同性;价带;（2）分布函数f(E);导带;*导带电子浓度n;导带的有效状态密度Nc;*能态密度：;*价带空穴浓度p0;EF 的高低反映了半导体的掺杂水平。 EF越靠近导带底，表明导带中的电子浓度越高; EF越靠近价带顶，表明价 带中的空穴浓度越高.;4. 非平衡载流子与准费米能级;第4章 半导体中电子的状态;热、光、电、磁、声——外部作用;;; Intrinsic carrier concentration ni (本征载流子浓度) ;*从si的共价键平面图看:; 这种束缚比共价键的束缚弱得多,只要很少的能量就可以使它挣脱束缚,成为导带中的自由粒子.这个过程称杂质电离.;;;*从Si的电子能量图看:;半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时，它们之间有相互抵消的作用——杂质补偿作用。;（1）深能级杂质;;当掺杂浓度很高时,会使 EF接近或进入了导带—半导体简并化了.;杂质能级—杂质能带;类氢原子模型;氢原子;2. 杂质电离浓度的计算;施主能级被电子占据的概率：;*施主能级上的电子浓度nD;*受主杂质能级的态密度=所掺受主杂质的浓度NA(E=EA)，显然;;ED;3. 掺杂半导体的载流子浓度计算;以只含施主为例来分析：;两边取对数并整理,得:;(2)中温强电离区;(本征激发不可忽略);(4)高温本征区;温 区 低温 中温 高温;简并情况;类似的;例1.计算含有施主杂质浓度ND＝9×1015cm-3及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。（对于硅材料：ND=9×1015cm-3；NA＝1.1×1016cm-3；T＝300k时 ni=1.5×1010cm-3）;②设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.6×1015 cm?3，计算300K时的EF位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2×1015 cm?3，计算300K时EF位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。 （已知本征载流子浓度T=300K时，ni=7.8 ×1015 cm?3, T=500K时，ni=2 ×1015 cm?3. ） ;补充作业： 1．掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.04eV，求室温下杂质一半电离???费米能级的位置和磷的浓度。;教材p.162，15.一块补偿硅材料，已知掺入受主杂质浓度NA=1×1015cm-3,室温下测得其费米能级位置恰好与施主能级重合，并测得热平衡时电子浓n0=5×1015cm-3 。已知室温下硅本征载流子浓度ni=1.5×1010cm-3。 试问：