计算机组成原理第五章(严军勇)_2003_2012年.pptVIP

第五章;本章学习目的 存储系统设计目标：量大、快、成本低 主存储器的工作原理 主存储器的组成方式 存储芯片组成主存储器的一般原则和方法 高速缓冲存储器和虚拟存储器的基本原理;本章内容提要 存储系统的组成 主存储器的组织 半导体随机存储器和只读存储器 主存储器的连接与控制 提高主存读写速度的技术 多体交叉存储技术 高速缓冲存储器 虚拟存储器;存储系统的组成 存储器分类 按存储器在计算机系统中的作用 高速缓冲存储器 主存储器 辅助存储器;存储系统的组成 存储器分类 按存取方式 随机存取存储器RAM 只读存储器ROM 顺序存取存储器SAM:磁带 直接存取存储器DAM：磁盘;存储系统的组成 存储器分类 按存储介质 磁芯存储器：断电不丢失，破坏性读出 半导体存储器：断电丢失 磁表面存储器 光存储器;存储系统的组成 存储器分类 按信息的可保存性 易失性存储器 非易失性存储器 破坏性读出：重写（再生） 非破坏性读出;存储系统的组成 存储系统层次结构 容量、速度和价格之间的矛盾 Cache、主存储器、辅助存储器 Cache存储系统：弥补主存速度 虚拟存储系统：解决主存容量不足;存储系统的组成 存储系统层次结构 三级存储系统：存取速度接近于Cache，存储容量大，价格合理;主存储器的组织 主存储器的基本结构 ;主存储器的组织 主存储器的存储单元 位，存储字，存储单元，存储体，地址 字节编址与字编址 大端方案与小端方案;主存储器的组织 主存储器的主要技术指标 存储容量：字节编址，字编址 存取速度 存取时间Ta:启动一次存储器操作到完成该操作 存取周期Tm:进行一次完整的读写操作 主存带宽Bm:每秒从主存进出信息的最大数量 可靠性与功耗;主存储器的组织 数据在主存中的存放 字节编址，存储字为64位（8个字节），读/写的数据有四种不同长度，它们分别是字节（8位）、半字（16位）、单字（32位）和双字（64位）;主存储器的组织 数据在主存中的存放 数据：字节、半字、双字、单字、半字、单字、字节、单字 不浪费存储器资源的存放方法;从存储字的起始位置开始存放的方法 ;;半导体随机存储器和只读存储器 RAM记忆单元电路 记忆单元：存放一个二进制位的物理器件 记忆单元的材料要求： 有两种稳定状态 在外部信息的激励下，两种稳定状态可被无限次写入 在外部信号的激励下，能读出两种稳定状态;1.六管静态MOS记忆单元电路 静态RAM是利用双稳态触发器来记忆信息的。六管静态MOS记忆单元电路中的T1～T6管构成一个记忆单元的主体，能存放一位二进制信息，其中：T1、T2管构成存储二进制信息的双稳态触发器。;2.四管动态MOS记忆单元电路 动态RAM是利用栅极电容上的电荷来记忆信息的。四管动态记忆单元电路中的T1、T2管不再构成双稳态触发器，而靠MOS电路中的栅极电容C1、C2来存储信息的。;3.单管动态记忆单元电路 单管动态记忆单元由一个MOS管T1和一个存储电容C构成。单管动态记忆单元是破坏性读出，即当读操作完毕，存储电容C上的电荷已被泄放完，必须采取重写（再生）的措施。;半导体随机存储器和只读存储器 动态RAM的刷新 刷新间隔 MOS型动态存储器：2ms 刷新和重写（再生）的区别：时机？方式（行，单元）;半导体随机存储器和只读存储器 动态RAM的刷新 刷新方式 集中式 分散式 异步式;刷新方式 32×32=1024个记忆单元 每刷新一行占用一个存取周期500ns（0.5μs）;1.集中刷新方式 刷新时间=存储体矩阵行数×刷新周期 优点:系统的存取速度比较高 缺点:是在集中刷新期间必须停止读/写，这一段时间称为“死区”，而且存储容量越大，死区就越长。;2.分散刷新方式 ;3.异步刷新方式 相邻两行的刷新间隔=最大刷新间隔时间/行数 刷新时间间隔=2ms/32=62.5 μs;半导体随机存储器和只读存储器 动态RAM的刷新 刷新控制 刷新请求和访存请求同时发生时 刷新对CPU是透明的 刷新通常是一行一行地进行的 刷新仅考虑单个芯片的存储容量;半导体随机存储器和只读存储器 RAM芯片分析 RAM芯片 地址线-Ai 数据线-Di 片选线-CE,CS 读写控制线-WE,OE;半导体随机存储器和只读存储器 RAM芯片分析 地址译码方式 把地址线送来的地址信号翻译成对应存储单元的字选择信号 单译码方式（字选法） 双译码方式（重合法）;字结构、单译码方式RAM ; 双译码方式对应的存储芯片结构:位结构，字段结构;位结构、双译码方式RAM;双译码方式与单译码方式相比，减少了选择线数目和驱动器数目。存储容量越大，这两种方式的