电子工程物理基础v1.1(4-2-1)2015探讨.ppt

第4章 半导体中电子的状态;4.3 载流子的复合;热平衡状态下 (T恒定，且无其它外界能量);非平衡状态下:;光照刚停止，复合产生 n、p 复合 复合=热产生（恢复热平衡）;;在小注入时，τ与ΔP无关（？），则;;复合;direct/band-to-band recombination ;;教材p.162.第16题;indirect recombination;* 俘获电子 Electron capture;电子俘获率：;电子的净俘获率（导带减少的电子数）：; EF与Et重合时导带的平衡电子浓度。;同理，得;俘获电子-发射电子=俘获空穴-发射空穴;净复合率：;净复合率：;非平衡载流子的寿命为;小注入条件下;小注入情况下，τ的进一步分析与化简:;(1)强n型区;(2)弱n型区;(3)弱p型区;(4)强p型区;EF位置与浅能级杂质或温度有关;;若Et靠近EC：俘获电子的能力增强; 半导体表面状态对非平衡载流子也有很大影响，表面处的杂质和表面特有的缺陷也在禁带形成复合中心。;（2） 俄歇复合;（3） 陷阱效应;第4章 半导体中电子的状态;4.4 载流子的散射;* scattering by neutral impurity and defects 中性杂质和缺陷散射;纵波和横波;声学波声子散射几率：;电离杂质散射几率：;主要散射机制;第4章