电子工程物理基础v1.1(5-1)2014探讨.ppt

唐洁影 东南大学电子科学与工程学院;第5章 半导体中电子的控制;5.1 半导体与外界作用; 费米能级 载流子浓度;（1）n ~T;（2）EF ~T;（3）EF ~掺杂（T一定，则NC也一定）;2.局部热对分布的影响;;;;洛仑兹力;（2）测定载流子浓度及迁移率;2. 回旋共振 ;;;以硅为例,回旋共振实验现象：;;第5章 半导体中电子的控制;5.2 半导体与半导体;;合金温度;(2) Diffused Junctions (扩散结);扩散系统; (3) Ion Implantation (离子注入);2 . pn结区(Space charge region)的形成;阻挡层;缓变结与突变结;;泊松方程 poisson’s equation:;及;突变结;;3. pn结能带 (Enery band );势垒区;n型半导体中的电子浓度为;* 势垒高度 qVD~ ND、NA 、Eg ;;或;;中性区; 外加电场与内建电场方向相反，削弱了内建电场，因而使势垒两端的电势差由VD减小为（VD-Vf），相应地势垒区变薄。;Space charge region;平衡时;这两股电流之和就是正向偏置下流过p-n结的电流。;考虑-xp截面：;;同理：;肖克莱方程