电子工程物理基础v1.1(4-2-2)2015探讨.ppt

第4章 半导体中电子的状态;考察p型半导体的非少子扩散运动;Dn--电子扩散系数cm2/s（ electron diffusion coefficients）;——单位时间在小体积Δx·1中积累的电子数; 在x附近，单位时间、单位体积中积累的电子数——积累率;三维;一维求解;（1）若样品足够厚;（2）若样品厚为W（W ∞);若WLn;;空穴的扩散电流密度;样品足够厚WLn, Lp; 在非平衡载流子浓度分布不均匀和外场同时存在的情况下:;二.爱因斯坦关系;;P型; 在非平衡载流子浓度分布不均匀和外场同时存在的情况下:;连续性方程; 积累率;------连续性方程;;应用举例;2 用恒定光照射n型半导体，并被表面均匀吸收 (gp=0)。假定材料是均匀的，且外场均匀，试写出少数载流子满足的运动方程，并求解。;;最后得：;电场很强;3 在一块均匀的半导体材料中，用适当频率的光脉冲照射其局部区域，请分别写出没有外场和加外场时，非平衡载流子在光脉冲停止后的运动方程。;有外场;4 稳态下的表面复合;空穴向表面扩散，满足的扩散方程;例 今有一块均匀的n型硅材料，用适当的频率、稳定的光照射样品的左半边（如下图），产生电子-空穴对，其产生率为gp，求稳态时、小注入水平、样品足够长时两边的空穴浓度及分布。;稳态时:;;边界条件