TiO2对V2O5离子储存电极薄膜性能的影响.pdfVIP

No．5 第50卷第5期 西 安 交 通 大 学 学 报 V01．50 OFXI’AN UNIVERSITY2016 2016年5月 JOURNAL JIAOTONG May DOI：10．7652／xjtuxb201605021 Ti02对V205离子储存电极薄膜性能的影响 巫玮珊1，梁小平1，王科翔1，樊小伟2，杨贵祥2，陈鹏1，王军1，张薇1，薛胜贤1 (1．天津工业大学省部共建分离膜与膜过程国家重点实验室，300387，天津； 2．天津耀皮工程玻璃有限公司，300409。天津) 摘要：采用溶胶一凝胶技术制备出(TiO。I-V：O。复合离子存储电极薄膜，主要研究了有机、无机Ti 源，TiO：掺杂量(z为o、o．05、o．1、0．2、0．3t001)等对V。O。薄膜结构与性能的影响。通过场发射 扫描电镜(FE—SEM)、循环伏安测试(CV)、紫外一可见光谱等手段研究了薄膜的表面形貌、电化学性 能和光学性能。结果表明，TiO。掺杂降低了V。O。薄膜离子储存容量，采用无机Ti源四氯化钛较 有机Ti源钛酸丁酯掺杂的复合薄膜具有更高的可见光透过率以及离子储存容量，与V：O；薄膜相 比，透射率增大了20％。随着无机Ti源掺量增多，薄膜离子储存容量降低，但在循环过程中降低 趋势减缓并逐渐保持稳定，50次循环后纯V：O。薄膜储存容量降低了25％，掺杂TiOz后平均降低 16％，V。O。薄膜循环稳定性有所提高。TiO：掺杂显著降低了V：O。阴极的着色效应，随着TiO。 掺量的增加，复合薄膜光透过性增强。 关键词：V：O。；离子储存电极薄膜；溶胶一凝胶；TiO：掺杂；Ti源 中图分类号：0646文献标志码：A 文章编号：0253—987X(2016)05—0140—06 Ion Films Effectof onthe of Electrochemical Ti02 V205 Properties Storage WU Weishanl。LIANG Xiaowei2，YANG Xiaopin91，WANGKexian91，FAN Guixian92， CHENPe Junl，ZHANGWeil，XUE n91，WANG Shengxianl (1．State of MembranesandMembrane Key Separation Processes，TianjinPolytechnicUniversity， Laboratory Glass Tianjin300387，China；2．TianjinSYPEngineeringCo．，Ltd．。Tianjin300409，China) Abstract：(Ti02 electrochemicalion filmswere by i-V205composite storage preparedsol—gel