第1章常用的半导体器件选编.pptVIP

第1章 常用半导体器件;2、本征半导体;形成： 在本征半导体中掺入微量三价元素。;3.杂质半导体;1. PN结的形成;2. PN结的单向导电特性;（2）PN结反向偏置;（1）热击穿：不可逆，应避免。 （2）电击穿：可逆。又分为雪崩击穿和齐纳击穿。无论发生哪种击穿，若对其电流不加以限制，都可能造成PN结的永久性损坏。;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2.1 二极管的结构;1.2.2 二极管的伏安特性及电路模型;1.2.2 二极管的伏安特性及电路模型;1.2.2 二极管的伏安特性及电路模型;1.2.2 二极管的伏安特性及电路模型;3．二极管的等效电路模型 ;1.2.3 二极管的主要参数;1.2.4 二极管的应用及测试;1.3 特殊二极管;2. 主要参数; 发光二极管(LED) 是一种将电能转化为光能的特殊二极管。 根据材料的不同可发出红、绿、兰、黄光泽。其工作电压一般为(1.5～3V),工作电流为(10mA～30mA)。; 又称为光敏二极管，反向偏置时光照导通。反向电流随光照强度的增加而上升。 是一种将光信号转化为电信号的特殊二极管,如影碟机中的激光二极管.;1.4 双极型三极管 ;1.4.1 三极管的基本结构及类型;1. 电流放大条件;（1）电流分配关系 ;１. 输入特性曲线;（1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。;1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线;1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线;【例1.4.1】测得工作在放大电路中两个晶体管管脚对地的电位分别如下表所列。试判断管型、电极及所用材料。 ;【例1.4.2】在图1.4.6中，给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是硅管还是锗管？处于哪种工作状态？ ;【例1.4.2】在图1.4.6中，给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是硅管还是锗管？处于哪种工作状态？ ;【例1.4.2】在图1.4.6中，给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是硅管还是锗管？处于哪种工作状态？ ;ICEO=(1+β)ICBO;1.4.4 晶体三极管的主要参数; 晶体三极管（BJT）是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与导电，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工???时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 ;场效应管分类;1.5.1 绝缘栅场效应管;栅源电压uGS的控制作用; 再增加UGS 纵向电场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。;（3）特性曲线 ; P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。; 2. N沟道耗尽型MOS管 ;特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。; P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。;1. 开启电压UT 栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ;本章小结