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第4章固体的能带结构选编
半导体;一. 能带;能带的宽度记作?E ，数量级为 ?E～eV。;离子间距;二 . 能带中电子的排布; 电子排布时，应从最低的能级排起。;三、 导体和绝缘体; 在外电场的作用下，大量共有化电子很
易获得能量，集体定向流动形成电流。;从能级图上来看，是因为满带与空带之间
有一个较宽的禁带（?Eg 约3～6 eV），
共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到
高能级（空带）上去。;绝缘体与半导体的击穿; 三、半导体的分类;例. 半导体 Cd S（硫化镉）;空带;二. 杂质半导体; n 型半导体 ;２.ｐ型半导体;空 带;3. n型化合物半导体;三. 杂质补偿作用;四、PＮ结的形成;内建场大到一定
程度,不再有净电
荷的流动，达到
了新的平衡。;PN结处存在电势差Uo。;五、ＰＮ结的单向导电性;外加正向电压越大，
正向电流也越大，
而且是呈非线性的
伏安特性(图为锗管)。;２. 反向偏压;但是??由于少数
载流子的存在，
会形成很弱的反
向电流，; 六、光生伏特效应
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