第五章 光电成像与光电成像与成像系统幻灯片.pptVIP

第五章 光电成像与成像系统 ;;5.1 光电成像系统概述;一、光电成像器件的发展;;二、光电成像器件的类型;三、光电成像系统要研究的问题;;光电成像系统基本组成;;5.2 图像探测器简介;特点：能够输出可视图像信息;1. 真空成像器件;;常见像管-变像管;红外变像管的应用;;选通式变像管;常见像增强管;第三代像增强器 第二代微通道结构配以负电子亲和势光电阴极，就构成了第三代像增强器。 X射线像增强器 实质：变像管 作用：将不可见的X射线转换成可见光图像，并使图像亮度增强;摄 像 管;;;摄像管的结构和工作原理;2. 固 体 成 像 器 件;;基本结构：转移电极结构、转移沟槽结构、信号输入结构、信号输出结构、信号检测结构。 构成CCD的基本单元：CMOS电容 CCD类型： 表面沟道CCD（SCCD）：电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输； 体沟道CCD（BCCD）：电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一定方向传输。;MOS电容器组成的光敏元及数据面的显微照片;;CCD的基本工作原理;;一、电荷存储;ФS;ФS;u0;二、电荷耦合;2V;;三、电荷的注入＆检测;U+;;ID;2、电荷的检测;由反向偏置二极管收集信号电荷来控制A点电位的变化，直流偏置的输出栅极OG用来使漏扩散＆时钟脉冲之间退耦，由于二极管反向偏置，形成一个深陷落信号电荷的势阱，转移到Ф2电极下的电荷包越过输出栅极，流入到深势阱中。;;;四、CCD的特性参数;;;ε(t);五、电荷耦合摄像器件（ICCD）;;线阵CCD外形 ;面阵CCD ;面阵CCD外形（续） ;面阵CCD外形（续） ;面阵CCD外形（续） ;;;（6）分辨力;;线阵CCD在图像扫描中的应用;;;CCD用于图像记录;;;数码相机的结构解剖（索尼F828）;CCD数码显微镜拍摄的金属表面显微照片;CCD数码摄像机; CMOS图像传感器是采用互补金属-氧化物-半导体工艺制作的另一类图像传感器，简称CMOS。现在市售的视频摄像头多使用CMOS作为光电转换器件。虽然目前的CMOS图像传感器成像质量比CCD略低，但CMOS具有体积小、耗电量小、售价便宜的优点。随着硅晶圆加工技术的进步，CMOS的各项技术指标有望超过CCD，它在图像传感器中的应用也将日趋广泛。 ;CMOS视频摄像头 ;CMOS视频摄像头???外部结构;CMOS视频摄像头的外形及内部结构;