氮化铝薄膜的进展.pdfVIP

氮 化 铝 薄 膜 的 进 展 成都 电讯工程 学院 曲喜新 一 、 前 言 最近十几年来 , 随着社会对 薄膜 材料的 需求越来越多 , 对它的研究也越 来越深入 , 开发应用也越来越广泛 。 至今薄膜材料已成 为许多尖端技术和新兴技术的基本材料 。 薄膜材料的种类较多 , 如超导薄膜 、 导 电薄膜 、 电阻薄膜 、 半导体薄膜 、 介 质薄 膜 、 磁性 薄膜 、 光学薄膜 、 铁电薄膜 、 压 电 薄膜 、 热电薄膜 、 光电薄膜等 。 作为一种新型材料 , 氮化铝薄膜的开发 潜力很大 , 应用 前景很好 ‘ l) 。 因此 , 近年 来 , 几个工业先进国家的许多专家都对它进 行研究 , 以求尽快地达到实用 。 为了促进这种薄膜在我国的 应 用 和 开 发 , 本文将对这种薄膜的制造技术 、 微观结 构 、 各种性能和应用前景作一分析和综述 , 以便 系统和深入地了解这种薄膜 。 二 、 氮化铝薄膜的制造技术 到现在为止 , 已经有多种方法可 以制造 八 IN 薄膜 。 若按成膜温度 , 可将这些方法分 为低温 (20 ~ 50 0℃ )制膜法和高温 (一般为 90 0一 1 30 0 ℃ ) 制膜法 。 在前种方法中 , 有 直流磁控溅射 、 射 频 磁控溅射和磁径溅射 枪 。 其他的方法基本上都属于高温制膜法 。 若按成膜机理 , 可将A IN薄膜的制造方法分 为物理气相淀积 (PV D ) 法 和化学气相淀 积 (C V D ) 法 。 除此以外 , 还有化学 液相 淀积 (C L D ) 等法 。 属于物理气相淀积的 有反应蒸发法和反应溅射法 。 作为前种方法 的改进 , 出现 了辉光放电法和离子镀 。 r 其改 进鲍本质是在蒸发室中用放电方法产生等离 子体 , 以促进A l和 N : 的反应 。 作为反应溅 射的改进 , 在溅射室中加上了与电场垂直的 正交磁场 , 以控制等离子体中的 电子运动 。 由 此产生了各种磁控溅射 。 属于化学气相淀积 的主要有两种方法 , 一种是用铝的卤化物经 化学反应生成A IN薄膜 , 另一种是用铝的有 机 化合物 。 对前者常称为 C V D 法 , 后者则常 称为 M O C V D 法 。 后者是一种改进的 C V D 法 。 在 A IN 薄膜的制造方法中 , 有的虽然曾 经被用过 , 但 由于存在着较多的缺点 , 现在 已经很少采用 , 所以下面仅介绍反应蒸发 、 反应溅射和 C V D 三种方法 , 以及在其基础 上所产生 出来的改进方法 。 因为A IN薄膜的用途不同 , 所 以对它的 结构要求各异 。 最好能够用一种方法方便地 制造出结构不 同的各种薄膜 , 如 无 定 形薄 膜 、 无规取向的多晶薄膜 、 高度择优取向的 多晶薄膜和单晶薄膜 。 一般说来 , 制造前两 种薄膜 , 需要的基片温度较低 ; 而制造后 两 种薄膜 , 需要的温度较高 。 并且为了便于制 造后两种薄膜 , 在选择基片时 , 需要注意下 列三点 : ( ] _ ) 薄膜和基片的晶格要互相匹配 ; 介 ) 薄膜和基片的热胀系数要互相匹 酉己; ( 3 ) 基片表面的缺陷和杂质要尽可能 的少 。 在上面所提到的制造 A IN 薄 膜 的方法 中 , 有的可以制造结构不同的各种薄膜 , 有 的只能方便地制造 、 一两种薄膜 。 现将各种制 膜方法较为洋细地分析和介绍如下 。 1 · 反应蒸发 一 可以归于这类方法的有 : 发法 、 辉光放电法和离子镀 。 一般的反应蒸 这些方法的共 i呱袱)操 ( 1 ) 一般的反应蒸发法 ‘“· ”, 4 ‘ 这种制膜方法所用的设备如 图 1 所示 。 石英磊休 振静器 加热会备衣曝片 到气压约为 i “ 10 一“至 1 “ 1丁 ‘ 于 。 r , 、 开始 渊崔粼默产, 呼 一 咖 在制膜以前 , 基片是经过清洁和高温热 处理的 · A IN薄膜的淀裸速率 一 用石英晶体振 荡器检测 , 一般为加 3A /s 。 - 共觉 X子长卡侧 十 皿 . .卜‘r.一r。 人夏 INH 到光学高温基 魂 l公今℃ 。 拗必,C 言豁能 归飞n OO七 NH 。 气 图 1 剑造人 IN薄膜的反应蒸发设备示意图 粼张纂季瑞黎粼黔 群撰资洲) 蓝宝石和单晶硅 , 在蓝宝石的 (0 0 1) 面或 {汤粉⋯淤⋯ 拼知六)⋯ : _ 考冲{牌蕊淤蒜i犷华钾~ 图 2 九IN 水薄膜的万与入附墓片表而的速率 比 · 丫 物 。。沪似狡 间的释 。 注 1 _ 卿今薄膜是在10 的℃ 下制造的单晶雄膜 座标为A l嘛式中的 x , 其横座标为速率之 比 v NH 。 /v 1̂ 。 图 中 标 出 的 温 度是制膜 时的 基片温度 。 从该图中看 出 , 无论在什么退