第三章门电路选编.pptVIP

第三章 门电路;下页;电平指一定的电压范围。高电平和低电平是两种状态，是两个不同的可以截然区别开来的电压范围。 ;下页;;;半导体二极管：将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管。 ;8;2. 半导体二极管的伏安特性; 二极管外加正向电压时导通，伏安特性很陡，可以等效为一个电压源，电压源的电压为二极管的导通电压。硅管：0.7V，锗管0.3V ，此时相当于开关闭合。;3.2.2 二极管与门电路 ;用逻辑1表示高电平 用逻辑0表示低电平; 3.2.3 二极管或门电路 ;3. 真值表;3.3 CMOS门电路; 场效应管（简称FET）是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，是仅由一种载流子参与导电的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。;下页;下页;下页;下页;下页;返回;+;返回;T2的开启电压;下页;4、 输入端噪声容限（ VNL和VNH ）(P118,P82); 2）在许多门电路相互连接成系统时，前一级门的输出可以作为后一级门的输入。后级门的噪声容限应用下式计算。 输入为低电平的噪声容限： VNL=VIL(max)-VOL(max) 输入为高电平的噪声容限： VNH=VOH(min)-VIH(min);0;3.3.3 CMOS反相器的静态输入、输出特性;2. 输入特性 从反向器输入端看进去的输入电压与输入电流的关系;下页;下页;;下页;A;下页;下页; 外接上拉电阻RL的确定; 当OD门中只要有一个导通时，输出端的电压就会为低电平，这时应保证流入这个OD门的电流不能超过最大允许的负载电流ILM。由此可见RL不能取得太小。;例：试确定图中OD门外接负载电阻RL的取值范围。已知G1、G2;下页;如何判断MOS管的源极和漏极？ 根据MOS管工作电流的方向来判断：PMOS管从S端流向D端，NMOS管由D端流向S端。;|VTP|; 对TP管，讨论其在0~|VTP|段和|VTP|~VDD段的工作状态：; 若将vI加到图的右端，RL加到左端，类似分析，通过C和C能控制vI从右向左传输，这表明CMOS门电路能控制信号的双向传输。;下页;下页;下页;下页;下页;3.4 三极管的开关特性（P109）;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;1） 输入特性;2）半导体三级管的输出特性曲线;IB=0;（c）开关??效电路;(2)饱和状态;说明： 开关C，E 控制量iB 为使BJT工作在饱和状态，必须iBIBS。;4.三极管的动态开关特性 开关的切换需要时间;5. 三极管反相器（非门）(Y=A) ;;3.5.1　TTL反相器的电路结构及工作原理 ;3.5.1 TTL反相器的电路结构及工作原理 ;1、TTL反相器的电路结构;T1发射结导通 vB1=0.3V+0.7V=1V T2和T5均截止 T4和D2导通 输出高电平 VOH =VCC –vBE4-vD2 ≈5V-0.7V-0.7V=3.6V;（2）vI=VIH时;VCC;3、TTL反相器的电压传输特性 ;TTL反相器电路的电压传输特性;3. 5.2 TTL反相器的静态输入特性和输出特性 ;输入特性曲线;（a）测试电路 （b）输入负载特性曲线 ;Rp/k?;　(a) 输出高电平时的输出特性;(b) 输出低电平时的输出特性;例：电路如图，TTL反相器的电路参数如下： IIH=40uA(输入为正） IOHmax＝400uA(输出为正） IIL=-1mA(输入为正） IOLmax＝-16mA(输出为正） 求门G1最多能驱动多少个同类门？;3.5.3 TTL反相器的动态特性（门电路状态切换时所呈现的特性）;放电;3.5.4 其它类型的TTL门电路 ;(1) 集电极开路（OC）门的 电路结构;(2)工作原理; OC门的输出端并联，实现线与功能。 RL为外接负载电阻。;　用OC门实现电平转换的电路 ;输入特性曲线;OC门;3. 三态输出门电路（TS门） ;三态门的典型应用 ;双向传输数据线;电气特性;本章小结 1. 半导体二极管和三极管的开关特性； 2. 最简单的与、或、非门电路； 3. 集成门电路－TTL门电路和CMOS门电路 以反相器为例，介绍了两种门的电路结构、工作原理和电气特性以及两种门的其它类型和应用。 本章重点： 两种门电路的电气特性（参数：VILmax、VOLmax、VIHmin、VOHmin , IIL、IIH、IOHmax、IOLmax) 几种特殊门：TTL OC门、CMOS OD门、TS门、CMOS TG门。