第九章单晶硅制备杂质分凝和氧污染选编.pptVIP

;杂质分凝 由两种或两种以上元素构成的固溶体，在高温熔化后，随着温度的降低将重新结晶，形成固溶体。 杂质在固体和熔体中的浓度是不同的，在结晶的过程中会发生偏析，称为分凝现象。; 实际晶体生长时，不可能达到平衡状态，也就是说固体不可能以无限缓慢的速度从熔体中结晶，因此，熔体中的杂质不是均匀分布的。例如，杂质在熔体中扩散的速度小于晶体结晶的速度的话，则在固液界面熔体一侧会出现杂质的堆积，形成一层杂质富集层。此时固液界面处固体一侧杂质浓度和液体中杂质浓度的比值，称为有效分凝系数 ; 有效分凝系数和平衡分凝系数遵循BPS关系(普凡方程);氧污染; 氧在晶体硅中的浓度要受到固溶度的限制，在硅的熔点温度附近，氧的平衡固溶度为 ，随着晶体硅温度的降低，硅中氧的固溶度会逐渐下降，在1000℃以上其表达式为;①熔硅与石英坩埚作用，生成SiO进入硅熔体 ②通过机械对流、自然对流等方式， SiO传输到熔体表面，以气体形式挥发。 ③少量的SiO溶解在熔硅中，以氧原子形态存在于液体硅中，最终进入直拉单晶硅。;氧以间隙态存在于晶体硅中，形成Si-O-Si键结合; 氧是Cz硅中含量最高杂质，它在硅中行为也很复杂。总的说来，硅中氧既有益也有害。;（2）形成氧热施主 ; 热氧施主可以在300℃~500 ℃范围内生成，而且在450 ℃是最有效的热施主生成温度。一旦生成热施主，可以在550 ℃以上用短时间热处理予以消除，通常利用的热施主消除温度为650 ℃。; 除温度外，单晶硅原生氧浓度是影响热施主浓度的最大因素。通常认为，热施主浓度主要取决于单晶硅中的初始氧浓度，其初始形成速率与氧浓度的4次方成正比，其最大浓度与氧浓度的3次方成正比。 另外，晶体硅中的其他杂质也会影响热施主的生成，研究已经指出，碳、氮会抑制热施主的生成，而氢会促进热施主的形成。; 除热施主外，含氧的直拉单晶硅在550℃~850℃热处理时，还会形成新的与氧相关的施主，被称为“新施主”，具有与热施主相近的性质。但是它的生成一般需要10h左右，甚至更长。对于太阳电池用直拉单晶硅，其冷却过程虽然要经过该温区，但是要少于10h；另外硅太阳电池的工艺一般不会长时间热处理，所以，对于太阳电池用直拉单晶硅而言，新施主的作用和影响一般可以忽略。;（3）氧成淀 氧在直拉单晶硅中通常是以过饱和间隙态存在，因此，在合适的热处理条件下，氧在硅中要析出，除了氧热施主以外，氧析出的另一种形式是氧沉淀。在晶体生长完成后的冷却过程和硅器件的加工过程中，单晶硅要经历不同的热处理过程。 在低温热处理时，过饱和的氧一般聚集形成氧施主； 在相对高温热处理或多步热处理循环时，过饱和的氧就析出形成样氧沉淀。; 氧经高温或多步热处理，会发生析出生成氧成淀。氧成淀是中性的，主要成分为SiOx，没有电学性能，体积是硅原子的2.25倍。在形成沉淀时，会从成淀体中向晶体内发射自间隙硅原子，导致硅晶格中自间隙原子饱和而发生偏析，产生位错、层错等二次缺陷。; 影响单晶硅中氧沉淀形成、结构、分布和状态的因素： ; 初始氧浓度时决定氧沉淀的主要因素之一。; 影响氧沉淀的另一个因素是热处理的温度。因为氧在硅中的固溶度随温度的下降而不断下降。所以，具有一定浓度的氧在不同温度时的过饱和度是不同的，这是氧沉淀产生的必要条件。; 当温度较低时，间隙氧的过饱和度大，形核驱动力强，但是氧的扩散速率较低。但温度较高时，氧的扩散速率大，易于形成氧沉淀，但是间隙氧的过饱和度小，形核驱动力弱。因此，在不同温度下的氧沉淀是氧的过饱和度和氧扩散竞争的结果。; 在一定温度下，热处理时间是决定氧沉淀的重要因素。; ①氧沉淀少量形成，表现出一个孕育期； ②氧沉淀快速增加； ③氧沉淀增加缓慢，接近饱和。;④碳、氮及其他杂质原子的浓度、原始晶体硅的生长条件、热处理气氛、次序等。 ;直拉单晶硅中的碳; 对于太阳电池用直拉单晶硅，其原料来源并不完全是高纯多晶硅，还包括微电子用直拉单晶硅的头尾料；而且，晶体生长的控制也不如微电子用直拉单晶硅严格，所以其碳浓度相对较高。 ; 碳在硅中的基本性质 碳在硅中处于替位位置。由于它是四价元素，属非电活性杂质。在特殊情况下，碳在硅晶体中也可以以间隙态存在。当碳原子处于晶格位置时，因为碳原子半径小于硅原子半径，晶格会发生形变。 目前，采用减压拉晶和热屏系统，CO大量被保护气体带走，有利于